各向异性导电材料及其制造方法技术

提供可得到低的导通电阻和高的粘接强度的各向异性导电材料及其制造方法。若将玻璃基板(11)与金属布线材料(12)热压接，则在玻璃基板(11)与各向异性导电材料(13)的界面中，玻璃基板(11)表面的Si与修饰到疏水二氧化硅(14)上的二硫化物硅烷末端的烷氧基(OR)反应，进行化学键合。另外，在金属布线材料(12)与各向异性导电材料(13)的界面中，通过压接时的热，二硫化物硅烷的一部分的S-S键(二硫键)离解，所离解的硫化物硅烷与金属Me化学键合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及分散有导电性粒子的。本申请以在日本国2010年12月2日申请的日本专利申请号特愿2010-269422作为基础主张优先权，通过参照该申请，合并于本申请中。
技术介绍
以往利用的方法中，使用各向异性导电膜(ACF Anisotropic Conductive Film)来将半导体等部件装配到基板上。将ACF用于玻璃基板时，为了提高粘接剂成分与玻璃的 粘接力而使用硅烷偶联剂，但是硅烷偶联剂会随着放置时间的推移而渗出到ACF膜表面，发生挥发。因此，使用将硅烷偶联剂修饰到二氧化硅上来抑制挥发的方法(例如参照专利文献I 3)。现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2005-75983号公报 专利文献2 :日本特开2010-84019号公报 专利文献3 :日本特开2006-196850号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题 但是，将硅烷偶联剂修饰到二氧化硅上的方法中，通常所使用的二氧化硅由于为表面上存在羟基的亲水性，因而分散性差，得不到低的导通电阻和高的粘接强度。本专利技术是鉴于上述实际情况而提出的，提供可得到低的导通电阻和高的粘接强度的。用于解决技术问题的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.02 JP 2010-2694221.各向异性导电材料，其含有将疏水性二氧化硅表面用二硫化物系硅烷偶联剂进行表面处理而成的二氧化硅粒子。2.如权利要求1所述的各向异性导电材料，其中，所述二氧化硅粒子的含量，相对于各向异性导电材料100质量份为2 15质量份。3.如权利要求1或2所述的各向异性导电材料，其中，所述二硫化物系硅烷偶联剂含有硫化物娃烧。4.如权利要求1 3中任一项所述的各向异性导电材料，其中，所述疏水性二氧化硅为将二氧化硅表面用二甲基硅氧烷修饰而成的二甲基硅氧烷修饰二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚尾怜司，石松朋之，大关裕树，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：
国别省市：