MEMS硅桥膜结构继电器及其制备方法技术

MEMS桥膜结构静电驱动继电器的制备方法属于MEMS器件的设计制造领域，其特征在于：（1）该继电器工艺采用绝缘体上硅SOI（Silicon?On?Insulator）与玻璃片（或硅片）键合的方式；（2）通过键合形成硅—玻璃或硅—硅整体结构；（3）SOI片的顶层硅厚度决定了桥膜结构中桥膜厚度。本继电器桥膜结构以体硅工艺为主，避免了表面硅工艺牺牲层释放不彻底的问题，从而有效提高桥膜结构质量，在MEMS继电器、开关、传感器等方面有重要应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于基于MEMS技术的制造范畴，特别涉及MEMS桥膜结构继电器及其制备方法。
技术介绍
米用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事以及领域中有着十分广阔的应用前景。桥膜结构在继电器、开关、传感器等MEMS器件中应用广泛，如何方便地形成高质量的桥膜结构具有较大的研究价值。传统的桥膜结构形成采取牺牲层释放工艺，即在底层结构完成之后覆盖牺牲层材 料，待完成顶部结构的加工后，采用一定手段去除牺牲层，形成空间结构。常用于牺牲层释放工艺的材料有聚酰亚胺、SU-8胶、SiO2等。然而，该方法容易造成牺牲层释放不彻底，在器件结构上附着有残余的牺牲层材料，此外，在牺牲层上加工顶部结构也会引起残余应力，释放得到的顶层结构可能产生较大的初始变形，这些都会对器件性能产生较大影响。
技术实现思路
针对传统桥膜结形成方法中牺牲层释放不彻底而影响器件性能的问题提出本专利技术。本专利技术的主要目的在于提供一种MEMS硅桥膜结构的形成方法，以获得较高质量的桥膜结构，从而提高MEMS继电器的性能。本专利技术的ME本文档来自技高网...

【技术保护点】
MEMS硅桥膜结构静电驱动继电器的制备方法，特征在于：采用SOI硅片—玻璃键合结构，以Si作为上接触电极，依次按以下步骤制成一个MEMS桥膜结构静电驱动继电器：步骤(1)、选取玻璃片清洗，再甩干；步骤(2)、第一次光刻，干法刻蚀或湿法腐蚀步骤(1)所述的玻璃片，形成“山”字型一级台阶；步骤(3)、第二次光刻，干法刻蚀或湿法腐蚀步骤(2)所述具有“山”字形一级台阶的玻璃片，形成中间低、两侧高的“山”字形二级台阶；步骤(4)、在步骤(3)所述的“山”字形两级台阶的玻璃片处，在中间台阶以及两侧凹槽处进行第三次光刻，溅射Ti/Au种子层，进行电镀Au，在所述中间台阶处形成Au接触极板，在所述两侧凹槽处...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮勇，张高飞，常双凯，马波，尤政，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：