温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

MEMS桥膜结构静电驱动继电器的制备方法属于MEMS器件的设计制造领域，其特征在于：（1）该继电器工艺采用绝缘体上硅SOI（Silicon?On?Insulator）与玻璃片（或硅片）键合的方式；（2）通过键合形成硅—玻璃或硅—硅整体结构；...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。