一种变焦距光刻物镜系统技术方案

一种变焦距光刻物镜系统，属于光学技术领域，本发明专利技术为了解决现有光刻物镜无法实现同一光刻物镜曝光出不同比例大小的掩模板曝光图形的问题，本发明专利技术系统从物面到像面依次为：物面、第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组、第四透镜组、第五透镜组和像面；物面为掩模板所在平面；第一透镜组用于固定物面与变焦距系统第一片透镜的距离；第二透镜组起到改变光刻物镜焦距及像面尺寸的作用；第三透镜组作用在于当变倍组移动过程中补偿像面的移动，使像面在整个变倍过程中保持位置固定；第四透镜组，具有负光焦度，第五透镜组，具有正光焦度，两者构成后固定组，用于保证光刻物镜靠近像面一侧的最后一片透镜与像面距离不变；像面为刻蚀基片所在平面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学
，具体涉及一种变焦距光刻物镜系统。
技术介绍
在现代高分辨率集成电路制造工艺的光刻技术中光刻装置是一种十分重要的设备。光刻物镜系统是光刻装备中至关重要的核心部件。光刻装置按是否采用掩模板主要分为有掩模光刻装置和无掩模光刻装置两大类，两种光刻方式大多采用投影式光刻曝光形式。有掩模光刻装置将掩模板上的曝光图形信息投影到刻蚀基片上；无掩模光刻装置将空间光调制器的曝光图形信息投影到刻蚀基片上，刻蚀基片通过显影等复杂工艺将掩模板上的曝光图形信息呈现出来。但光刻物镜系统基本采用定焦系统，即一套光刻物镜系统只能曝光出掩模板或数字光调制器的一种比例的曝光图形，无法实现在同一光刻设备中光刻物镜的变焦距功能，即也不能实现掩模板曝光图形不同比例大小的呈现。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有光刻物镜为定焦系统，无法实现同一光刻物镜曝光出不同比例大小的掩模板曝光图形的问题，提供一种变焦距光刻物镜系统。本专利技术的技术方案为一种变焦距光刻物镜系统，从物面到像面依次为物面、第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组、第四透镜组、第五透镜组和像面；物面为掩模板所在平面；第一透镜组为前固定组，具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种变焦距光刻物镜系统，其特征在于，从物面一侧到像面一侧依次为：物面（O）、第一透镜组（G1）、第二透镜组（G2）、第三透镜组（G3）、第四透镜组（G4）、第五透镜组（G5）和接收面（I）；物面（O）为掩模板所在平面；第一透镜组（G1）为前固定组，具有正光焦度，用于固定物面（O）与变焦距系统第一片透镜的距离；第二透镜组（G2）为变倍组，具有负光焦度，起到改变光刻物镜焦距及像面尺寸的作用；第三透镜组（G3）为补偿组，具有正光焦度，作用在于当变倍组移动过程中补偿像面的移动，使像面在整个变倍过程中保持位置固定；第四透镜组（G4），具有负光焦度，第五透镜组（G5），具有正光焦度，两者构成后固定组，用于...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟奇，吕博，冯睿，魏忠伦，柳华，康玉思，姜珊，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
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