一种可用于传感器的新型纳米片薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体材料与化学化工技术的交叉领域，涉及传感器薄膜的制备方法，具体涉及一种可用于传感器的新型纳米片薄膜及其制备方法。本发明专利技术纳米片薄膜由占其质量35%~100%的纳米片状WO3和MoO3中一种或多种，以及占其质量0%~65%的W或Mo中的一种或多种组成。本发明专利技术以Na2WO4和Na2MoO4中的一种或多种、FeSO4、(NH4)2C4H4O6配置电解液，通过电沉积制备合金镀层，所述合金镀层原位生长于基体金属片上；通过脱出合金中的Fe成分后氧化纳米片状的沉积薄膜而得到产品。本发明专利技术方法不需使用复杂的设备，亦无须使用危险性的药品与溶剂，具有工艺简单、生产成本低，纳米片WO3薄膜厚度均匀等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料与化学化工技术的交叉领域，涉及传感器薄膜的制备方法，具体涉及。
技术介绍
半导体型气体传感器是利用待测气体在感应材料表面进行吸附反应，感应材料表面会吸收或放出多余的电子，而使感应材料表面的电子密度发生变化，因此造成感应材料电阻值的变化，由此根据其电阻的变化量来决定待测气体的浓度。三氧化钨是一种禁带宽度的η-型金属氧化物半导体，作为一种重要的功能材料被广泛应用于如气敏传感器和高效广催化剂等领域。同时由于其与众不同的电化学和接触特性，WO3是一种非常有吸引力的工程技术材料。WO3及WO3基传感器被广泛用于探测νο2、 NO和H2S气体。现有的三氧化钨传感器的感应材料大多为致密或是多空的微粒型三氧化钨薄膜，制备的方法有溶胶凝胶法,化学气相沉积,磁控灘射等。公开号为CN101318702的中国专利公开了 “一种三氧化钨纳米片及其制备方法”，该方法采用钨酸基有机或无机层状混杂微/纳米带(管)为前驱物，除去前驱物层间的有机物后得到到钨酸纳米片后热处理得到氧化钨纳米片粉末材料。公开号为CN1935671的中国专利公开了 “一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法”，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可用于传感器的新型纳米片薄膜，其特征在于：所述纳米片薄膜由占其质量35%~100%的纳米片状WO3和MoO3中一种或多种，以及占其质量0%~65%的W或Mo中的一种或多种组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：凌云汉，高武斌，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：