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本发明属于半导体材料与化学化工技术的交叉领域，涉及传感器薄膜的制备方法，具体涉及一种可用于传感器的新型纳米片薄膜及其制备方法。本发明纳米片薄膜由占其质量35%~100%的纳米片状WO3和MoO3中一种或多种，以及占其质量0%~65%的W或M...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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