一种生长氧化锌纳米线阵列的制备方法技术

技术编号:8482703 阅读:194 留言:0更新日期:2013-03-28 01:40
本发明专利技术公开了一种生长氧化锌纳米线阵列的制备方法。该方法采用原子层沉积技术在基片上制备氧化锌种子层,再通过化学溶液法以水溶性锌盐作为前驱体,以三乙醇胺,或二乙醇胺作为表面修饰剂,在碱性条件下在基片上形成ZnO纳米线阵列,该方法操作简单,生长的纳米线直径小,适合在气敏传感器、太阳能电池光阳极等领域中应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种生长氧化锌纳米线阵列的制备方法,其特征在于,它包括如下步骤:A.氧化锌种子层的制备:采用原子层沉积技术在基片上制备氧化锌种子层,具体方法如下:将原子层沉积系统内腔温度升到40~200℃,打开腔体,将基片放入腔内,腔体内压强降到25hPa以下,用惰性气体清洗反应腔;将锌前驱体通入反应腔,脉冲时间在0.05~6秒;之后通入惰性气体清洗未反应的前驱体,脉冲时间为1~60秒,然后通入氧前驱体,脉冲时间为0.05~6秒;之后用惰性气体清洗未反应的氧前驱体,完成一个沉积氧化锌的循环;如此重复,在基片表面沉积50~1000个循环的氧化锌层;马弗炉中300~800℃退火1~10小时;B.?氧化锌纳米线阵列...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:葛美英尹桂林姜来新汪元元何丹农
申请(专利权)人:上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
类型:发明
国别省市:

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