一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法技术

本发明专利技术一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法，属于纳米材料图案化生长领域。本发明专利技术旨在促进图案化ZnO纳米棒阵列大面积均匀生长。其特征是：在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上，采用长程扩束、大尺寸高反镜、高灵敏化学放大胶和顶部抗反射层四项技术，既实现了曝光面积的增大和能量分布均匀性的提高，又减轻了驻波效应的不利影响，还提高了光刻胶表面的亲水性并减少了显影和生长缺陷，另外增强了模板抗生长液侵蚀的能力，所得阵列大面积均匀。本发明专利技术步骤简单、对原始工艺兼容性好且效果显著，为图案化ZnO纳米棒阵列集成化应用和相关纳米功能器件性能的优化提供了有力的参考。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料图案化生长领域，涉及模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列。
技术介绍
ZnO纳米棒阵列，是ZnO纳米材料体系中研究最为广泛、最为深入的材料之一。它不仅拥有ZnO纳米材料自身的力光电特性，还具备高比表面积、易于低成本大面积生产的优点，因此在纳米发电机、力电传感器、发光二极管、场发射冷阴极、紫外探测器、太阳能电池、电致变色膜、生物传感器等多种纳米功能器件上得到成功运用，被公认为是具有巨大应用和工程化前景的纳米材料。然而，用液相外延法和化学气相沉积法传统工艺制得的ZnO纳米棒阵列，存在c轴取向不佳、间距过密、粗细不均和长短不一等缺点，不但没有实现真正意 义上的形貌结构精确调控，而且在后续器件构建时，会造成电极接触不良、电流堵塞、漏电或反向电流大、服役稳定性差等问题，极大限制了各类纳米功能器件性能和寿命的提升。为了妥善解决上述问题，图案化生长技术应运而生。所谓图案化，就是借助规则排列的模板，对ZnO纳米棒阵列的形貌结构进行限域生长和精确调控。目前，较为常见的ZnO纳米棒阵列图案化生长技术主要包括光刻、PS球自组装、电子束曝光和激光干涉。(I)光刻2009 年香港科技大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法，能促进图案化ZnO纳米棒阵列大面积均匀生长，其特征在于：该方法具体步骤如下：搭建基于双面劳埃德镜的三光束激光干涉系统，采用长程扩束和大尺寸高反镜；对生长基底进行超声清洗，将化学放大胶AR?N4340经1:1质量比稀释，先以500rpm*6s低速，再以?4000rpm*30s进行旋涂，得到生长基底上的化学放大胶的厚度为300nm；在温度为85℃热板软烘1min；再在化学放大胶涂层上继续旋涂顶部抗反射层AZ?aquatar，先以500rpm*6s低速，再以?3000rpm*30s进行旋涂，得到顶部抗反射层厚度为56nm；将上述旋涂有化学放大胶和顶部抗反射层的生...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃，陈翔，闫小琴，李欣，冯亚瀛，申衍伟，郑鑫，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：