半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，可提高散热性。半导体装置包括：散热构件，所述散热构件的上表面形成有槽；接合构件，填埋所述槽，并设在所述散热构件上；以及配线基板，包含设在所述配线基板的上表面的发光部与设在所述配线基板的下表面的接合电极，且所述接合电极经由所述接合构件而接合于所述散热构件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施方式涉及一种半导体装置 。
技术介绍
已有将多个半导体元件(例如半导体发光元件)高密度地封装的半导体装置。例如，当为半导体发光元件的场合下，有时可能通电电流的7成左右会变成热。因此，在半导体装置中，确保具有能效率良好地散热的散热路径是不可或缺的。现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利第4846515号公报
技术实现思路
本技术的实施方式提供一种提高了散热性的半导体装置。实施方式的半导体装置包括散热构件，所述散热构件的上表面形成有槽；接合构件，填埋所述槽，并设在所述散热构件上；以及配线基板，包含设在所述配线基板的上表面的发光部与设在所述配线基板的下表面的接合电极，且所述接合电极经由所述接合构件而接合于所述散热构件。所述的半导体装置，其中，所述散热构件的所述槽由所述接合构件全部埋入。所述的半导体装置，其中，所述散热构件的全部的所述槽形成为，在所述接合电极利用所述接合构件而固定的状态下，位于所述接合电极的外缘的内侧。所述的半导体装置，其中，所述散热构件的一部分的所述槽形成为，在所述接合电极利用所述接合构件而固定的状态下，位于所述接合电极的外缘的外侧。 所述的半导体装置，其中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于包括：散热构件，所述散热构件的上表面形成有槽；接合构件，填埋所述槽，并设在所述散热构件上；以及配线基板，包含设在所述配线基板的上表面的发光部与设在所述配线基板的下表面的接合电极，且所述接合电极经由所述接合构件而接合于所述散热构件。

【技术特征摘要】
2012.07.31 JP 2012-1706171.一种半导体装置，其特征在于包括 散热构件，所述散热构件的上表面形成有槽； 接合构件，填埋所述槽，并设在所述散热构件上；以及 配线基板，包含设在所述配线基板的上表面的发光部与设在所述配线基板的下表面的接合电极，且所述接合电极经由所述接合构件而接合于所述散热构件。2.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在于， 所述散热构件的所述槽由所述接合构件全部埋入。3.根据权利要求I所述的半导体装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：下川一生，
申请(专利权)人：东芝照明技术株式会社，
类型：实用新型
国别省市：