光半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种光半导体装置，该光半导体装置包括：导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层，其特征在于：上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区，而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件；在上述导电性半导体衬底的底部具有镜面状的薄膜。该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰、小型且简单，并且可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰，减少光半导体装置的光强度检测时的误差外，减小背面上的接触电阻，改善串扰，保护光半导体元件免受外部环境影响，耐湿性优良，能够确保高可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及主要用于光纤通信的光半导体装置，更具体地，涉及像应对了多沟道化的光接收元件(光电二极管PD)那样的光半导体光接收元件阵列。
技术介绍
伴随着近年来的波长复用通信等光纤通信技术的发展，必须有检测更多沟道的光的光接收元件。另一方面，为了防止伴随着多沟道化的装置的大型化，同时还希望进行装置的小型集成化。针对这些要求，形成了阵列状的光接收元件的光半导体装置，因可以接收多沟道的光且是小型装置而被广泛使用。 图IA是专利文献I中记载的现有的光半导体装置的外观图。而图IB是包含光接收部的剖面图。在图IA中例示了具有四个元件的光接收部的光半导体元件阵列，但元件数目可以根据用途进行增减而使用。图I所示的光半导体装置，通过具有在导电性半导体衬底110上形成的光吸收层112且具有多个与导电性半导体衬底110相反的导电性的扩散区120而形成。在此，光吸收层112具有绝缘性。另外，在这样的构成中，在光吸收层112的正上方设置导电性半导体层114，在导电性半导体层114上形成扩散区120。另外，在半导体衬底110上通过蒸镀等形成背面电极118，在导电性半导体层114上形成绝缘膜116和表面电极119本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体装置，包括：导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层，其特征在于：?上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区，而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件；?在上述导电性半导体衬底的底部具有镜面状的薄膜。

【技术特征摘要】
2011.01.27 JP 2011-0155801.一种光半导体装置，包括导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层，其特征在于 上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区，而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件； 在上述导电性半导体衬底的底部具有镜面状的薄膜。2.如权利要求I所述的光半导体装置，其特征在于 上述镜面状的薄膜具有包含阻挡金属的背面电极。3.如权利要求2所述的光半导体装置，其特征在于 上述镜面状的薄膜形成图案，上述图案的全部或者一部分设置成使通过光接收部的光轴来到中央。4.如权利要求3所述的光半导体装置，其特征在于 上述光半导体装置在上述镜面状的薄膜的底部形成有作为欧姆电极的第二背面电极。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：土居芳行，村本好史，大山贵晴，
申请(专利权)人：NTT电子股份有限公司，日本电信电话株式会社，
类型：实用新型
国别省市：