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本实用新型提供一种光半导体装置，该光半导体装置包括：导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层，其特征在于：上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区，而...该专利属于NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社授权不得商用。