研磨剂和研磨方法技术

本发明专利技术涉及用于研磨研磨对象物（1）的被研磨面的研磨剂（5），其含有：平均一次粒径为5～20nm的第一氧化硅微粒、平均一次粒径为40～110nm的第二氧化硅微粒和水，且所述第一氧化硅微粒在所述第一氧化硅微粒和第二氧化硅微粒的总量中占的比例为0.7～30质量％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于研磨研磨对象物的被研磨面的。更具体地，涉及在研磨对象物的被研磨面的研磨中，能够高速研磨且长时间使用时的稳定性优异的研磨剂以及使用该研磨剂的研磨方法。
技术介绍
作为今后期待会有很大进展的LED和功率器件(〃 ”一于 >义八^ )用的基材，蓝宝石(Ci-Al2O3)和碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等的化合物单晶晶片的制造、加工技术正在引起人们的注意。为了在这些基板上形成GaN等的结晶薄膜而器件化，低缺陷、高品质的表面在结晶学上是重要的，为了获得这些低缺陷、高平滑的表面，化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing:以下也称为CMP)技术受到瞩目。但是，蓝宝石、SiC、GaN硬度都非常高，且化学稳定性也都高，因此特别在决定品质的最终阶段的研磨中，在确保品质的同时以高效率研磨较为困难，存在研磨工序变得非常长的问题。在决定这些单晶基板的品质的最终研磨中，迄今为止多数情况下使用氧化硅微粒。使用氧化硅微粒提高研磨效率(研磨速度)的尝试迄今为止已进行过几次，已提出提高研磨粒浓度(参照非专利文献I)、以特定的比例混合粒径不同的2种以上研磨粒(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田有衣子，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：
国别省市：