【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种检测SIM卡热插拔的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度；预设一阈值，并判断所述磁场强度是否小于或等于所述阈值；当判断结果为是时，则判定所述SIM卡插入所述SIM卡座，当判断结果为否时，则判定所述SIM卡从所述SIM卡座拔出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王亚辉，魏金平，
申请(专利权)人：惠州TCL移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：
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