一种热插拔电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种热插拔电路，所述热插拔电路包括：第一MOSFET、第二MOSFET和保护器件；所述第一MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第一MOSFET的D级连接电路的输出端；所述第二MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第二MOSFET的D级连接电路的输出端；所述保护器件的第一端连接所述第一MOSFET的D级，所述保护器件的第二端连接所述第二MOSFET的G级，所述保护器件的第三端连接所述第二MOSFET的S级；当所述保护器件被打开时，所述第二MOSFET处于截止状态；当所述保护器件被关闭时，所述第二MOSFET处于导通状态。通过本实用新型专利技术的技术方案，可以在热插拔电路中使用SOA较弱的第二MOSFET，减小单板功耗，降低成本和空间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路
，尤其涉及一种热插拔电路。
技术介绍
对于高可用性的网络设备(如服务器、网络交换机、冗余存储磁盘阵列等)来说，需要在整个使用生命周期内具有接近零的停机率。如果网络设备的某个单板(如主控板、接口板等)发生故障或者需要升级，则需要在不中断网络设备的其它单板的情况下替换该单板，即发生故障或者需要升级的单板被从网络设备上移除，新单板被插入到网络设备上，这个过程被称为热插拔，这个单板被称为热插拔单板，且单板上使用的电路被称为热插拔电路。在热插拔电路中，在电路的输入端和电路的输出端之间，通常需要并联多个MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化层半导体场效晶体管)。每个MOSFET都有自身的SOA(Safe Operating Area，安全工作区域)，SOA是指MOSFET在预设时间内能够支持的最大功率，例如，MOSFET的VDS在一定电压下1秒内支持的最大功率为500瓦，则SOA就是500瓦。随着热插拔电路的广泛使用，可能会在高功率的应用场景(如功率大于1000瓦)下使用热插拔电路，这样，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热插拔电路，其特征在于，所述热插拔电路包括：第一MOSFET、第二MOSFET和保护器件；其中，所述第一MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第一MOSFET的D级连接电路的输出端；所述第二MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第二MOSFET的D级连接电路的输出端；所述保护器件的第一端连接所述第一MOSFET的D级，所述保护器件的第二端连接所述第二MOSFET的G级，所述保护器件的第三端连接所述第二MOSFET的S级；当所述保护器件被打开时，所述第二MOSFET处于截止状态；当所述保护器件被关闭时，所述第二MOSFET处于导通状态；其中，所述第一MOSFET的SOA大于所述第二MOS...

【技术特征摘要】
1.一种热插拔电路，其特征在于，所述热插拔电路包括：第一MOSFET、第二MOSFET和保护器件；其中，所述第一MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第一MOSFET的D级连接电路的输出端；所述第二MOSFET的S级连接电路的输入端，所述第二MOSFET的D级连接电路的输出端；所述保护器件的第一端连接所述第一MOSFET的D级，所述保护器件的第二端连接所述第二MOSFET的G级，所述保护器件的第三端连接所述第二MOSFET的S级；当所述保护器件被打开时，所述第二MOSFET处于截止状态；当所述保护器件被关闭时，所述第二MOSFET处于导通状态；其中，所述第一MOSFET的SOA大于所述第二MOSFET的SOA；所述第一MOSFET的导通电阻大于所述第二MOSFET的导通电阻。2.根据权利要求1所述的热插拔电路，其特征在于，所述保护器件具体包括：三极管；所述第一端为所述三极管的B级，所述第二端为所述三极管的C级，所述第三端为所述三极管的E级。3.根据权利要求1所述的热插拔电路，其特征在于，所述保护器件具体包括：第三MOSFET；所述第一端为所述第三MOSFET的G级，所述第二端为所述第三MOSFET的D级，所述第三端为所述第三MOSFET的S级。4.根据权利要求1-3任一项所述的热插拔电...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱卫强，杨震宇，吴亮，
申请(专利权)人：杭州华三通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33