一种电压调节方法、预稳压电源电路及系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种电压调节方法、预稳压电源电路及系统，涉及电子领域，实现在准直通状态下电源的高效率输出，并且提高电路的电压输出精度。该电压调节方法具体包括，通过正线输入端和负线输入端接收待调整电压；将待调整电压采用固定开通时间调整关断时间的控制模式，改变占空比，得到一次调整电压；将一次调整电压采用固定关断时间，调整开通时间的控制模式，改变占空比得到输出电压。本发明专利技术应用于非隔离的直流准直通预稳压电源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，尤其涉及一种电压调节方法、预稳压电源电路及系统。
技术介绍
电源模块(power module)是可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器,其特点是可为专用集成电路、数字信号处理器、微处理器、存储器、现场可编程门阵列及其他数字或模拟负载提供供电。一般来说，这类模块称为负载点电源供应系统或使用点电源供应系统。由于模块式结构的优点甚多，因此模块电源广泛用于交换设备、接入设备、移动通讯、微波通讯以及光传输、路由器等通信领域和汽车电子、航空航天等。模块电源具有隔离作用， 抗干扰能力强，自带保护功能，便于集成。在需要进行电压转换的应用场景中电源模块又包括交流转换器或直流变换器。对于各种电路，电源模块是比较常用的，现有的直流预稳压电源就是应用电源模块的隔离作用，同时电源转换器或直流变换器也应用于此种电路的架构中。然而现有的直流稳压电源主要为采用完全隔离的电路构架和非隔离完全直通的电路构架，其中采用隔离构架的电路结构复杂电源输出效率低下且输出电压精度低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种电压调节方法、预稳压电源电路及系统，可以实现在准直通状态下电源的高效率输出，并且提高电路的电压输出精度。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案第一方面，提供一种预稳压电源电路，包括升压单元，包括正线输入端和负线输入端以及对应所述正线输入端的第一正线输出端和对应所述负线输入端的第一负线输出端，其中所述正线输入端和所述负线输入端用于向所述升压单元输入待调整电压，其中所述第一正线输出端和所述第一负线输出端用于输出通过所述升压单元调整后的待调整电压得到一次待调整电压，其中所述升压单元采用压差频率控制所述待调整电压；降压单元， 包括第一正线输入端和第一负线输入端以及对应所述第一正线输入端的正线输出端和对应所述第一负线输入端的负线输出端，其中所述第一正线输入端连接所述第一正线输出端，所述第一负线输入端连接所述第一负线输出端，其中所述第一正线输入端和所述第一负线输入端用于向所述降压单元输入所述一次待调整电压，其中所述正线输出端和所述负线输出端用于输出通过所述降压单元调整后的所述一次待调整电压得到输出电压，其中所述降压单元采用压差频率控制通过所述第一正线输入端和第一负线输入端输入的所述一次待调整电压。在第一种可能的实现方式中，结合第一方面，所述预稳压电源电路还包括第三电容、第四电容、正线电流控制模块和负线电流控制模块；所述正线电流控制模块包括第一电容，所述第一电容的第一极与所述正线输入端相连，所述第一电容的第二极与所述负线输入端相连；第一电感，所述第一电感的第一极与所述正线输入端相连；第一驱动脉冲器，所述第一驱动脉冲器由第一 MOS(Metal-Oxide_Semiconductor,金属-氧化物-半导体) 型场效应管和第三二极管构成，其中所述第一 MOS型场效应管的漏极与所述第三二极管的负极相连，所述第一 MOS型场效应管的源极与所述第三二极管的正极相连，所述第一 MOS 型场效应管的栅极输入第一电压调整脉冲信号，所述第一 MOS型场效应管的漏极与所述第一电感的第二极连接；第一二极管，所述第一二级管的正极与所述第一电感的第二极相连， 所述第一二极管的负极与所述第一正线输出端相连；第二电容，所述第二电容的第一极与所述第一正线输出端相连，所述第二电容的第二极与所述第一负线输出端相连；所述第三电容第一极与所述第一 MOS型场效应管的源极及所述负线输入端相连，所述第三电容的第二极与所述第一负线输出端相连；所述负线电流控制模块包括所述第一电容，所述第一电容的第一极与所述正线输入端相连，所述第一电容的第二极与所述负线输入端相连；第二电感，所述第二电感第一极与所述负线输入端相连；第二驱动脉冲器，所述第二驱动脉冲器由第二 MOS型场效应管和第四二极管构成，其中所述第二 MOS型场效应管的漏极与所述第四二极管的负极相连，所述第二 MOS型场效应管的源极与所述第四二极管的正极相连， 所述第二 MOS型场效应管的栅极输入第二电压调整脉冲信号，所述第二 MOS型场效应管的源极与所述第二电感的第二极连接；第二二极管，所述第二二极管的负极与所述第二电感第二极相连，所述第二二极管正极与所述第一负线输出端相连；所述第二电容，所述第二电容的第一极与所述第一正线输出端相连，所述第二电容的第二极与所述第一负线输出端相连；所述第四电容的第一极与所述第二 MOS型场效应管的漏极及所述正线输入端相连，所述第四电容的第二极与所述第一正线输出端相连。在第二种可能的实现方式中，结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，所述预稳压电源电路，还包括所述降压单元，包括所述第二电容，所述第二电容的第一极与所述第一正线输入端相连，所述第二电容的第二极与所述第一负线输入端相连；第三驱动脉冲器，所述第三驱动脉冲器由第三MOS型场效应管和第六二极管构成，其中所述第三MOS型场效应管的漏极与所述第六二极管的负极相连，所述第三MOS型场效应管的源极与所述第六二极管的正极相连，所述第三MOS型场效应管的栅极输入第三电压调整脉冲信号，所述第三MOS型场效应管的漏极还与所述第一正线输入端相连；第五二极管，所述第五二极管负极与所述第三MOS型场效应管的源极相连，所述第五二极管的正极与所述第一负线输入端相连；第三电感，所述第三电感的第一极与所述第五二极管的负极一端相连; 第五电容，所述第五电容的第一极与所述第三电感的第二极和所述正线输出端相连，所述第五电容的第二极与所述负线输出端相连。第二方面，提供一种预稳压电源电路系统，包括多个并联的预稳压电源电路，所述预稳压电源电路为第一方面、第一方面的第一种可能实现方式、第一方面的第二种可能实现方式所述的任一预稳压电源电路。 第三方面，提供一种电压调节方法，包括通过正线输入端和负线输入端接收待调整电压；将所述待调整电压采用固定开通时间调整关断时间的控制模式，改变占空比，得到一次调整电压；将所述一次调整电压采用固定关断时间，调整开通时间的控制模式，改变占空比得到输出电压。本专利技术的实施例提供的电压调节方法、预稳压电源电路及系统，升压单元采用压差频率控制分别控制通过所述正线输入端和负线输入端输入的电流得到一次待调整电压，降压单元采用压差频率控制对一次待调整电压调整，得到输出电压；在输入和输出电压压差小时，降低开关频率，实现准直通状态，电源实现高效率输出，并且提高电路的电压输出精度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的一种预稳压电源电路结构示意图2为本专利技术实施例提供的一种预稳压电源电路示意图3为本专利技术实施例提供的一种预稳压电源电路系统的升压单元的正线电流控制丰旲块不意图4为本专利技术实施例提供的一种预稳压电源电路系统的升压单元的负线电流控制模块示意图5为本专利技术实施例提供的一种预稳压电源电路系统的降压单元示意图6为本专利技术实施例提供的一种预稳压电源电路的升压单元的第一电压调整脉冲信号或第二电压调整脉冲信号示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种预稳压电源电路，其特征在于，包括：升压单元，包括正线输入端和负线输入端以及对应所述正线输入端的第一正线输出端和对应所述负线输入端的第一负线输出端，其中所述正线输入端和所述负线输入端用于向所述升压单元输入待调整电压，其中所述第一正线输出端和所述第一负线输出端用于输出通过所述升压单元调整后的待调整电压得到一次待调整电压，其中所述升压单元采用压差频率控制所述待调整电压；降压单元，包括第一正线输入端和第一负线输入端以及对应所述第一正线输入端的正线输出端和对应所述第一负线输入端的负线输出端，其中所述第一正线输入端连接所述第一正线输出端，所述第一负线输入端连接所述第一负线输出端，其中所述第一正线输入端和所述第一负线输入端用于向所述降压单元输入所述一次待调整电压，其中所述正线输出端和所述负线输出端用于输出通过所述降压单元调整后的所述一次待调整电压得到输出电压，其中所述降压单元采用压差频率控制通过所述第一正线输入端和第一负线输入端输入的所述一次待调整电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱品华，王恒彪，曹文宗，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：