一种分补调节器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种分补调节器电路，包括输入信号控制电路、稳压电路模块、比较电路、缺相保护取样电路、可控硅驱动控制电路和可控硅模块插脚单元，所述比较电路的第二输入端与缺相保护取样电路的输出端连接，所述可控硅模块插脚单元的输出端与缺相保护取样电路的输入端连接。本实用新型专利技术通过缺相取样电路和比较电路能在缺相时通过可控硅驱动控制电路及时控制关断可控硅模块，从而实现缺相保护，有效提高装置的使用寿命。而且本实用新型专利技术不需采用内置电源和微处理器实现，电路接线简洁方便，结构简单，大大减少生产成本。本实用新型专利技术可广泛应用于电力装置中。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路领域，尤其涉及一种分补调节器电路。
技术介绍
现有补偿调节器一般使用电容接触器和可控硅复合开关，并采用普通三相、大容量的电容器进行三相共补方式投切。当任一支路中的某一相出现故障，但传统的装置无法检测到这一情况，仍会对电容器给出投入信号，这样就会造成系统电压或电流的三相不平衡，产生多种危害，从而导致装置使用寿命的缩短，加大损耗。现在一些装置实现缺相保护，但是其均需要内置电源和微处理器实现，导致生产成本较高，生产出来的装置结构体积较大。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种能实现缺相保护，且减少生产成本的一种分补调节器电路。本技术所采取的技术方案是：一种分补调节器电路，包括输入信号控制电路、稳压电路模块、比较电路、缺相保护取样电路、可控硅驱动控制电路和可控硅模块插脚单元，所述输入信号控制电路的第一输出端分别与稳压电路模块的输入端和比较电路的第一输入端相连接，所述比较电路的第二输入端与缺相保护取样电路的输出端连接，所述稳压电路模块的输出端连接至比较电路的第三输入端，所述可控硅模块插脚单元的输出端与缺相保护取样电路的输入端连接，所述输入信号控制电路的第二输出端连接至可控硅驱动控制电路的第一输入端，所述比较电路的输出端连接至可控硅驱动控制电路的第二输入端，所述可控硅驱动控制电路的输出端连接至可控硅模块插脚单元的输入端。作为本技术的进一步改进，还包括有温控开关，所述输入信号控制电路的第一输出端连接至温控开关的第一端，所述温控开关的第二端分别与稳压电路模块的输入端和比较电路的第一输入端相连接。作为本技术的进一步改进，所述比较电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管、稳压管、第一三极管、第二三极管和比较器，所述稳压电路模块的输出端通过第一电阻连接至比较器的反相输入端，所述比较器的反相输入端连接至缺相保护取样电路的输出端，所述稳压电路模块的输出端通过第二电阻连接至比较器的同相输入端，所述比较器的同相输入端通过第一电容与地连接，所述比较器的同相输入端通过第三电阻与地连接，所述比较器的同相输入端连接至第一二极管的阳极端，所述第二二极管的阴极端连接至比较器的输出端，所述比较器的输出端连接至第二二极管的阴极端，所述第二二极管的阳极端通过第四电阻连接至温控开关的第二端，所述第二二极管的阳极端连接至稳压管的阴极端，所述稳压管的阳极端连接至第二三极管的基极，所述第二三极管的基极通过第五电阻连接至第二三极管的发射极，所述第二三极管的集电极通过第六电阻连接至第一三极管的基极，所述第一三极管的发射极连接至温控开关的第二端，所述第一三极管的集电极通过第七电阻连接至第二三极管的发射极，所述第二三极管的发射极与地连接，所述第一三极管的集电极连接至可控硅驱动控制电路的第二输入端。作为本技术的进一步改进，所述缺相保护取样电路包括对应n相输入的n个单相取样电路，n为正整数。作为本技术的进一步改进，所述单相取样电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、光耦合器、第二电容和第三二极管，所述光耦合器的副边的发射极通过第九电阻连接至光耦合器的副边的集电极，所述光耦合器的副边的发射极通过第八电阻连接至比较器的反相输入端，所述光耦合器的副边的集电极与地连接，所述光耦合器的原边的正极端通过第十电阻连接至光耦合器的原边的负极端，所述光耦合器的原边的正极端连接至第三二极管的正极端，所述光耦合器的原边的负极端连接至第三二极管的负极端，所述光耦合器的原边的负极端依次通过第二电容和第十一电阻连接至可控硅模块插脚单元的输出端。作为本技术的进一步改进，所述第一三极管为PNP晶体管，所述第二三极管为NPN晶体管。本技术的有益效果是：本技术一种分补调节器电路通过缺相取样电路和比较电路能在缺相时通过可控硅驱动控制电路及时控制关断可控硅模块，从而实现缺相保护，有效提高装置的使用寿命。而且本技术不需采用内置电源和微处理器实现，电路接线简洁方便，结构简单，大大减少生产成本。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明：图1是本技术一种分补调节器电路的原理方框图；图2是本技术一种分补调节器电路的电路原理图。具体实施方式参考图1～图2，本技术一种分补调节器电路，包括输入信号控制电路、稳压电路模块、比较电路、缺相保护取样电路、可控硅驱动控制电路和可控硅模块插脚单元，所述输入信号控制电路的第一输出端分别与稳压电路模块的输入端和比较电路的第一输入端相连接，所述比较电路的第二输入端与缺相保护取样电路的输出端连接，所述稳压电路模块的输出端连接至比较电路的第三输入端，所述可控硅模块插脚单元的输出端与缺相保护取样电路的输入端连接，所述输入信号控制电路的第二输出端连接至可控硅驱动控制电路的第一输入端，所述比较电路的输出端连接至可控硅驱动控制电路的第二输入端，所述可控硅驱动控制电路的输出端连接至可控硅模块插脚单元的输入端。进一步作为优选的实施方式，还包括有温控开关，所述输入信号控制电路的第一输出端连接至温控开关的第一端，所述温控开关的第二端分别与稳压电路模块的输入端和比较电路的第一输入端相连接。进一步作为优选的实施方式，所述比较电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2、稳压管DZ、第一三极管Q1、第二三极管Q2和比较器COM，所述稳压电路模块的输出端通过第一电阻R1连接至比较器COM的反相输入端，所述比较器COM的反相输入端连接至缺相保护取样电路的输出端，所述稳压电路模块的输出端通过第二电阻R2连接至比较器COM的同相输入端，所述比较器COM的同相输入端通过第一电容C1与地连接，所述比较器COM的同相输入端通过第三电阻R3与地连接，所述比较器COM的同相输入端连接至第一二极管D1的阳极端，所述第二二极管D2的阴极端连接至比较器COM的输出端，所述比较器COM的输出端连接至第二二极管D2的阴极端，所述第二二极管D2的阳极端通过第四电阻R4连接至温控开关的第二端，所述第二二极管D2的阳极端连接至稳压管DZ的阴极端，所述稳压管DZ的阳极端连接至第二三极管Q2的基极，所述第二三极管Q2的基极通过第五电阻R5连接至第二三极管Q2的发射极，所述第二三极管Q2的集电极通过第六电阻R6连接至第一三极管Q1的基极，所述第一三极管Q1的发射极连接至温控开关的第二端，所述第一三极管Q1的集电极通过第七电阻R7连接至第二三极管Q2的发射极，所述第二三极管Q2的发射极与地连接，所述第一三极管Q1的集电极连接至可控硅驱动控制电路的第二输入端。进一步作为优选的实施方式，所述缺相保护取样电路包括对应n相输入的n个单相取样电路，n为正整数。进一步作为优选的实施方式，所述单相取样电路包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、光耦合器U1、第二电容C2和第三二极管D3，所述光耦合器U1的副边的发射极通过第九电阻R9连接至光耦合器U1的副边的集电极，所述光耦合器U1的副边的发射极通过第八电阻R8连接至比较器COM的反相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分补调节器电路，其特征在于：包括输入信号控制电路、稳压电路模块、比较电路、缺相保护取样电路、可控硅驱动控制电路和可控硅模块插脚单元，所述输入信号控制电路的第一输出端分别与稳压电路模块的输入端和比较电路的第一输入端相连接，所述比较电路的第二输入端与缺相保护取样电路的输出端连接，所述稳压电路模块的输出端连接至比较电路的第三输入端，所述可控硅模块插脚单元的输出端与缺相保护取样电路的输入端连接，所述输入信号控制电路的第二输出端连接至可控硅驱动控制电路的第一输入端，所述比较电路的输出端连接至可控硅驱动控制电路的第二输入端，所述可控硅驱动控制电路的输出端连接至可控硅模块插脚单元的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种分补调节器电路，其特征在于：包括输入信号控制电路、稳压电路模块、比较电路、缺相保护取样电路、可控硅驱动控制电路和可控硅模块插脚单元，所述输入信号控制电路的第一输出端分别与稳压电路模块的输入端和比较电路的第一输入端相连接，所述比较电路的第二输入端与缺相保护取样电路的输出端连接，所述稳压电路模块的输出端连接至比较电路的第三输入端，所述可控硅模块插脚单元的输出端与缺相保护取样电路的输入端连接，所述输入信号控制电路的第二输出端连接至可控硅驱动控制电路的第一输入端，所述比较电路的输出端连接至可控硅驱动控制电路的第二输入端，所述可控硅驱动控制电路的输出端连接至可控硅模块插脚单元的输入端。2.根据权利要求1所述的一种分补调节器电路，其特征在于：还包括有温控开关，所述输入信号控制电路的第一输出端连接至温控开关的第一端，所述温控开关的第二端分别与稳压电路模块的输入端和比较电路的第一输入端相连接。3.根据权利要求2所述的一种分补调节器电路，其特征在于：所述比较电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管、稳压管、第一三极管、第二三极管和比较器，所述稳压电路模块的输出端通过第一电阻连接至比较器的反相输入端，所述比较器的反相输入端连接至缺相保护取样电路的输出端，所述稳压电路模块的输出端通过第二电阻连接至比较器的同相输入端，所述比较器的同相输入端通过第一电容与地连接，所述比较器的同相输入端通过第三电阻与地连接，所述比较器的同相输入端连接至第一二极管的阳极端，所述第二二极管的阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏毅民，
申请(专利权)人：佛山市施诺尔电气有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44