串联传递调节器和调节电路制造技术

在一个实施方案中，一种形成调节电路的方法包括配置输出偏压网络以对于小于阈值电压的输入电压将偏压提供给MOS晶体管，从而使MOS晶体管能够在饱和操作模式下操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】串联传递调节器和调节电路
本技术概括来说涉及电子器件，更具体来说，涉及半导体、其结构和形成半导体设备的方法。
技术介绍
在过去，开关电源控制器被设计成交流-直流变换器以在大范围的交流输入电压内操作。交流输入电压可以从约一百二十伏特(120V)rms变化到约四百伏特(400V)rms。为了适应宽范围的输入电压，利用输入调节组件以限制传递到开关电源控制器的电压。通常将滤波电容器用作输入调节组件。滤波电容器一般必须具有非常高的额定电压以便用可以接收的高电压输入电压值操作。高电压电容器是昂贵的且增加了电源系统的成本。电容器也具有有限的功耗，从而增加了功耗且降低了电源系统的效率。因此，需要具有一种降低电源系统接收的电压、具有较低成本、降低功耗且提高效率的方法和装置。
技术实现思路
根据本技术的一方面，提供了一种串联传递调节器，其包含:所述串联传递调节器的输入被配置为接收输入电压；所述串联传递调节器被配置为在所述串联传递调节器的输出上形成输出电压；所述串联传递调节器的MOS晶体管串联耦接在所述输入与所述输出之间，其中所述MOS晶体管在所述MOS晶体管的漏极上从所述输入接收所述输入电压并将电流从所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种串联传递调节器，其包含：?所述串联传递调节器的输入被配置为接收输入电压；?所述串联传递调节器被配置为在所述串联传递调节器的输出上形成输出电压；?所述串联传递调节器的MOS晶体管串联耦接在所述输入与所述输出之间，其中所述MOS晶体管在所述MOS晶体管的漏极上从所述输入接收所述输入电压并将电流从所述MOS晶体管的源极传导到所述输出；以及?输出偏压网络，被配置为在所述输入电压小于所述串联传递调节器的阈值电压的条件下，形成大于所述MOS晶体管的栅极?源极饱和电压的栅极?源极电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种串联传递调节器，其包含: 所述串联传递调节器的输入被配置为接收输入电压； 所述串联传递调节器被配置为在所述串联传递调节器的输出上形成输出电压； 所述串联传递调节器的MOS晶体管串联耦接在所述输入与所述输出之间，其中所述MOS晶体管在所述MOS晶体管的漏极上从所述输入接收所述输入电压并将电流从所述MOS晶体管的源极传导到所述输出；以及 输出偏压网络，被配置为在所述输入电压小于所述串联传递调节器的阈值电压的条件下，形成大于所述MOS晶体管的栅极-源极饱和电压的栅极-源极电压。2.如权利要求1所述的串联传递调节器，其进一步包括输入偏压网络，被配置为形成大于所述MOS晶体管的栅极-源极阈值电压的所述栅极-源极电压。3.如权利要求2所述的串联传递调节器，其中所述输入偏压网络包括在所述MOS晶体管的栅极与所述输入之间耦接电阻器。4.如权利要求1所述的串联传递调节器，其进一步包括调节器元件，耦接在所述MOS晶体管的栅极与所述串联传递调节器的电压返回之间。5.如权利要求1所述的串联传递调节器，所述输出被配置为从PWM调节器接收电压。6.如权利要求5所述的串联传递调节器，其中在所述输入与所述输出之间串联耦接的所述串联传递调节器的所述MOS晶体管包括被配置为耦接在所述输入与所述PWM调节器的电感器之间的所述MOS晶体管。7.如权利要求1所述的串联传递调节器，其中所述输出偏压网络包括耦接在所述串联传递调节器的所述输出与所述输出偏压网络之间的齐纳二极管、与所述齐纳二极管并联耦接的电容器，以及将来自所述电容器的能量耦接到所述MOS晶体管的栅极。8.一种用于电源控制器的调节电路，其包含: MOS晶体管，其具有栅极、被耦接以接收输入电压的漏极，以及被耦接以形成输出电压的源极； 阈值检测电路，其被耦接到所述MOS晶体管的所述栅极，所述阈值检测电路具有阈值电压；以及 输出偏压网络，其被耦接到所述MOS晶体管的所述栅极，所述输出偏压网络被配置成接收所述输出电压，并对于小于所述阈值电压的输入电压将偏压提供给所述MOS晶体管的所述栅极。9.如权利要求8所述的调节电路，其进一步包括输入偏压网络，所述输入偏压网络被配置成将偏压从所述输入电压供应到所述MOS晶体管的所述栅极。10.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·巴索，JP·洛弗尔，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：
国别省市：