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一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法技术

技术编号:8454252 阅读:174 留言:0更新日期:2013-03-21 22:56
本发明专利技术公开了一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法,以CuO纳米线为模板生长一维C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线,再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板,随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理,最终得到一维C/Sn@C/C复合纳米管。本发明专利技术运用CuO模板法制备出一维C/Sn@C/C复合纳米管,制备工艺简单,所制备的材料具有大比表面积,导电性好,在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新能源纳米材料领域,具体涉及一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C 一维复合纳米管的方法。
技术介绍
在新能源领域,锂离子电池的研究具有重要的战略意义,属于热点技术。负极材料作为锂电池重要的组成部分,是决定锂离子电池性能的关键因素之一。然而传统商业化的碳材料,其容量低(372mAh/g),远远不能满足高性能锂电池实际应用的需求。近年来国内外专家一直致力于研究具有高容量、良好稳定性、良好循环性能、经济环保等特点的锂离子电池负极材料,而锡基材料由于其较高的理论储锂容量,被公认为是一种极具潜力的锂离子电池负极材料,受到国内外电化学专家和学者广泛关注。 但是,锡基材料在反复充放电的过程中,因体积严重膨胀而出现电极粉化现象,从而极大地降低了其循环性能,进而限制了其在锂电领域内应用。为了进一步提高锂离子电池的锂存储容量及循环稳定性,人们一直在寻求限制或者缓冲锡体积膨胀的方法,以达到提闻其循环稳定性的目的。研究表明当锡基材料减小到纳米级别时将会大大地减弱因体积膨胀所产生的电极粉化效应,此外,在锡基材料中加入其他材料形成复合材料也可以有效缓冲锡因体积膨胀所产生的应力,从而有效防本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法,其特征在于:以CuO纳米线为模板生长由外到内依次为碳、氧化锡@碳复合材料、碳、氧化铜的纳米线,即C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线,再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板,随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理,最终得到一维由外到内依次为碳、锡碳复合材料、碳的C/Sn@C/C复合纳米管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨尊先
申请(专利权)人:福州大学
类型:发明
国别省市:

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