碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法。该方法包括以下步骤：步骤一，将碳纳米管分散形成碳纳米管悬浮液，将500目铜网浸入碳纳米管悬浮液中再取出，干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜，使其与铜网分离，制得所需的碳纳米管薄膜；步骤二，将碳纳米管薄膜置于管式炉中，充入氩气，在600℃下处理50min，通入硅烷和氩气的混合气体，通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量，通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。本发明专利技术的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料，其工艺方法简单、制造成本低，适应于大规模的生产；制备的碳纳米管-硅复合负极材料容量高、安全性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及锂离子电池负极材料的制备，具体是一种碳纳米管一硅复合负极材料的制备方法。
技术介绍
现有锂离子电池的各种负极材中，常规石墨材料容量较小，在高容量，大功率场合存在安全隐患；硅复合材料能够改善石墨材料的缺陷，但现有复合方法工艺较杂，成本高，不适用大规模工业生产。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种工艺简单、成本低、适合大规模生产的。本专利技术的包括以下步骤步骤一，碳纳米管薄膜的制备将碳纳米管分散在去离子水中，加入表面活性剂SDBS，超声分散形成碳纳米管悬浮液，然后将500目铜网，浸入碳纳米管悬浮液中再取出，60°C下干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜，然后用去离子水洗去表面活性剂，使其与铜网分离，将浮在水面的碳纳米管薄膜取出干燥，即制得所需的碳纳米管薄膜；碳纳米管悬浮液中，碳纳米管的浓度为I. 6mg/mL, SDBS的浓度为10mg/mL ；步骤二，将步骤一制备的碳纳米管薄膜置于管式炉中，通过化学气相沉积的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料将管式炉抽真空，再充入氩气，然后将碳纳米管薄膜在600°C下处理50min，再通入硅烷和氩气的混合气体，硅烷的含量为2%体积比，流速为50mL/min ;通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量，通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。本专利技术的方法制备碳纳米管-娃复合负极材料，其工艺方法简单、制造成本低，适应于大规模的生产；制备的碳纳米管-硅复合负极材料容量高、安全性好。具体实施例方式本专利技术方法实施例经过以下步骤一、碳纳米管薄膜的制备将碳纳米管分散在去离子水中，加入表面活性剂SDBS，超声分散30min，形成碳纳米管悬浮液，然后将500目铜网，浸入碳纳米管悬浮液中，5min后将其取出，60°C下干燥后就制得了由铜网支撑的碳纳米管薄膜，然后用去离子水洗去表面活性剂，使其与铜网分离，将浮在水面的碳纳米管薄膜取出干燥，即制得所需的碳纳米管薄膜；碳纳米管的浓度为I. 6mg/mL, SDBS的浓度为10mg/mL。超声分散的功率为200W。二、碳纳米管-Si复合材料的制备将步骤一制备的碳纳米管薄膜置于管式炉中，通过化学气相沉积的方法制备碳纳米管-Si复合负极材料。首先将管式炉抽真空，再冲入氩气，然后将碳纳米管薄膜在600°c下处理50min，再通入硅烷和氩气的混合气体，硅烷的含量为2%(体积比)，流速为50mL/min(标况下)，整个化学气相沉积时间为30min。通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量，测微天平的精确度为0. I u g。可以通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流 速来控制Si的沉积量。权利要求1.一种，其特征是它包括以下步骤， 步骤一，碳纳米管薄膜的制备将碳纳米管分散在去离子水中，加入表面活性剂SDBS，超声分散形成碳纳米管悬浮液，然后将500目铜网，浸入碳纳米管悬浮液中再取出，60°C下干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜，然后用去离子水洗去表面活性剂，使其与铜网分离，将浮在水面的碳纳米管薄膜取出干燥，即制得所需的碳纳米管薄膜；碳纳米管悬浮液中，碳纳米管的浓度为I. 6mg/mL, SDBS的浓度为10mg/mL ； 步骤二，将步骤一制备的碳纳米管薄膜置于管式炉中，通过化学气相沉积的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料将管式炉抽真空，再充入氩气，然后将碳纳米管薄膜在600°C下处理50min，再通入硅烷和氩气的混合气体，硅烷的含量为2%体积比，流速为50 mL/min ；通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量，通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。全文摘要本专利技术涉及一种。该方法包括以下步骤步骤一，将碳纳米管分散形成碳纳米管悬浮液，将500目铜网浸入碳纳米管悬浮液中再取出，干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜，使其与铜网分离，制得所需的碳纳米管薄膜；步骤二，将碳纳米管薄膜置于管式炉中，充入氩气，在600℃下处理50min，通入硅烷和氩气的混合气体，通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量，通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。本专利技术的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料，其工艺方法简单、制造成本低，适应于大规模的生产；制备的碳纳米管-硅复合负极材料容量高、安全性好。文档编号H01M4/38GK102983311SQ20121047178公开日2013年3月20日 申请日期2012年11月20日 优先权日2012年11月20日专利技术者崔立峰, 李奇峰, 王辉, 杨克涛 申请人:江苏科捷锂电池有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳纳米管?硅复合负极材料的制备方法，其特征是：它包括以下步骤，步骤一，碳纳米管薄膜的制备：将碳纳米管分散在去离子水中，加入表面活性剂SDBS，超声分散形成碳纳米管悬浮液，然后将500目铜网，浸入碳纳米管悬浮液中再取出，60℃下干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜，然后用去离子水洗去表面活性剂，使其与铜网分离，将浮在水面的碳纳米管薄膜取出干燥，即制得所需的碳纳米管薄膜；碳纳米管悬浮液中，碳纳米管的浓度为1.6mg/mL，SDBS的浓度为10mg/mL；步骤二，将步骤一制备的碳纳米管薄膜置于管式炉中，通过化学气相沉积的方法制备碳纳米管?硅复合负极材料：将管式炉抽真空，再充入氩气，然后将碳纳米管薄膜在600℃下处理50min，再通入硅烷和氩气的混合气体，硅烷的含量为2%体积比，流速为50?mL/min；通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量，通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔立峰，李奇峰，王辉，杨克涛，
申请(专利权)人：江苏科捷锂电池有限公司，
类型：发明
国别省市：