柔性显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种柔性显示装置及其制作方法，涉及显示领域，制作方法简单，且能实现柔性显示，另外，无需设置阀值电压补偿电路，无需外置驱动集成电路即可获得高品质的显示画面。所述方法包括：将单晶硅膜片粘结在基板上；在粘结有单晶硅膜片的基板上形成驱动电路和电激发光器件，并在电激发光器件上用透明柔性盖板进行封装，其中，单晶硅膜片形成驱动电路中的薄膜晶体管的有源层，所述薄膜晶体管包括位于柔性显示装置显示区域的第一薄膜晶体管；去除单晶硅膜片上薄膜晶体管之外区域的单晶硅，并在单晶硅膜片上用柔性膜片封装。本发明专利技术还提供了一种由所述方法制成的柔性显示装置，与现有装置相比，亮度均一，结构简单，分辨率更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
柔性显示器，指可变型可弯曲的显示装置，一般使用有源有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)或高分子发光二极管(Polymer Light-emitting Diode,PLED)技术,具有低功耗,直接可视,可变型可弯曲，且轻薄、耐冲击不易损坏，可以安装在弯曲的表面，制作成可穿戴的显示器等优点，预计今后几年将成为显示领域的主流。AMOLED显不器通常是由低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)驱动背板和电激发光(Electro-Luminescence，EL)层组成自发光组件。传统的LTPS型AMOLED 显示器的结构如图I所示，其制备过程如下在玻璃基板101上沉积一层缓冲层102，在缓冲层102上面沉积非晶硅(a-Si)层，然后进行高温脱氢制程去除a-Si层中的氢(H)含量， 再通过低温多晶硅工艺将a-Si层转化为多晶硅(Poly-Si)层，用掩膜版进行曝光，再经显影、刻蚀工艺制作多晶硅图案层103 ;在Poly-Si图案层103上方沉积栅极绝缘层106，在栅极绝缘层106上方沉积栅极金属层，用数次掩膜工艺进行曝光，再经显影、刻蚀工艺，及掺杂工艺制作栅电极107，同时在Poly-Si图案层103形成薄膜晶体管电路的轻掺杂漏极 (LDD)部分104和重掺杂部分105 (对应薄膜晶体管的源/漏极)；然后依次制作层间绝缘层108，进行掺杂后的活化和注氢工艺，制作源/漏电极109、有机层110和阳极111 ;再制作有机发光层112及阴极，最后覆盖上保护盖层113。在上述过程中，专利技术人发现现有技术至少存在如下问题低温多晶娃LTPS工艺是通过准分子激光退火(Excimer Laser Anneal,ELA)技术将非晶硅转化为多晶硅的技术，其工艺的最高温度达到了 600°C以上，且ELA退火生成的多晶硅颗粒均一性较差，因此使用LTPS技术制作的AMOLED驱动背板存在以下缺点制作温度高，对基底的要求较高，不能使用塑料基底，难以实现柔性显示；另外，ELA技术制作的多晶硅颗粒均一性较差，因此薄膜晶体管阀值电压均一性较差，导致AMOLED画面亮度显示不均一，有源驱动电路需要包含阀值电压补偿电路进行补偿。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种，制作方法简单，且能实现柔性显示，另外，无需设置阀值电压补偿电路即可获得高品质的显示画面。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种柔性显示装置的制作方法，包括将单晶硅膜片粘结在基板上；在粘结有所述单晶硅膜片的基板上形成驱动电路和电激发光器件，并在所述电激发光器件上用透明柔性盖板进行封装，其中，单晶硅膜片形成所述驱动电路中的薄膜晶体管的有源层，所述薄膜晶体管包括位于所述柔性显示装置显示区域的第一薄膜晶体管；去除所述基板，露出所述单晶硅膜片；去除所述单晶硅膜片上所述薄膜晶体管之外区域的单晶硅，并在所述单晶硅膜片上用柔性膜片进行封装。可选地，采用构图工艺去除所述单晶硅膜片上所述薄膜晶体管之外区域的单晶硅。可选地，所述采用构图工艺，去除所述单晶硅膜片上所述薄膜晶体管之外区域的单晶硅，具体为在所述单晶硅膜片的表面涂覆光刻胶；利用掩模板保护所述单晶硅膜片上的所述薄膜晶体管区域，进行曝光并去除曝光区域的光刻胶；刻蚀掉所述单晶硅膜片上未被光刻胶保护的区域，再剥离剩余的光刻胶。优选地，所述单晶硅膜片由单晶硅晶圆片根据需要制作的显示屏的大小切割而成。进一步地，所述将单晶硅膜片粘结在基板上之后，还包括对所述单晶硅膜片进行抛光、研磨处理。优选地，所述驱动电路还包括用于产生扫描信号的栅极驱动电路和用于产生数据信号的源极驱动电路，均设置在所述柔性显示装置边框的对应区域；所述驱动电路中的薄膜晶体管还包括所述栅极驱动电路中的第二薄膜晶体管， 以及所述源极驱动电路中的第三薄膜晶体管。可选地，所述在粘结有所述单晶硅膜片的基板上形成驱动电路和电激发光器件， 具体包括在所述单晶硅膜片上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅电极层，采用构图工艺形成栅电极；进行掺杂，所述单晶硅膜片形成薄膜晶体管的有源层；形成层间绝缘层；形成源漏电极层，采用构图工艺形成源电极、漏电极；形成绝缘隔垫层；形成阳极层，采用构图工艺形成阳极；形成电激发光层及阴极。可选地，所述去除所述基板，露出所述单晶硅膜片，具体为采用氢氟酸或缓冲刻蚀液刻蚀底层的所述基板，露出所述单晶硅膜片。本专利技术还提供一种柔性显示装置，包括柔性膜片；设置在所述柔性膜片上的驱动电路和电激发光器件，其中，所述驱动电路中的薄膜晶体管的有源层由同一单晶硅膜片形成，所述薄膜晶体管包括位于所述柔性显示装置显示区域的第一薄膜晶体管；透明柔性盖板，封装在所述电激发光器件之上。可选地，所述单晶硅膜片由单晶硅晶圆片根据需要制作的显示屏的大小切割而成。优选地，所述驱动电路还包括用于产生扫描信号的栅极驱动电路和用于产生数据信号的源极驱动电路，均设置在所述柔性显示装置边框的对应区域；所述驱动电路中的薄膜晶体管还包括所述栅极驱动电路中的第二薄膜晶体管， 以及所述源极驱动电路中的第三薄膜晶体管。可选地，所述薄膜晶体管，包括单晶硅膜片形成的有源层；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅电极，设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在所述栅电极上；源电极和漏电极，设置在所述层间绝缘层上，经所述层间绝缘层及所述栅极绝缘层上的过孔与所述有源层相连接。进一步地，柔性显示装置还包括设置有过孔的绝缘隔垫层，覆盖在所述薄膜晶体管源、漏电极的上方，且位于所述电激发光器件的下方。可选地，所述电激发光器件，包括阳极层，设置在所述绝缘隔垫层的上方，并通过所述绝缘隔垫层上的过孔与所述第一薄膜晶体管的漏电极相连；电激发光层，形成于所述阳极层上；阴极，形成于所述电激发光层上。可选地，所述电激发光器件为有机发光二极管。可选地，所述单晶硅膜片形成的有源层，包括沟道区域，设置于有源层上与所述栅电极对应的区域；轻掺杂(LDD)区域，设置于所述沟道区域的两侧；重掺杂区域，设置于所述轻掺杂区域的外侧且远离沟道区域。本专利技术实施例提供的，先将单晶硅膜片粘结在基板 (例如玻璃)上，进行形成驱动电路和电激发光器件的制程；然后将基板进行翻转，去除底层的基板以露出所述单晶硅膜片，再去除所述单晶硅膜片上除驱动电路以外区域的单晶硅，最后用柔性膜片进行封装。相比现有的ELA型AMOLED多晶硅显示装置，本专利技术中的，具有如下优点I、通过先在基板上形成驱动电路和电激发光器件，待完成上盖板封装后再去除所述基板改为封装柔性膜片的方式，实现了柔性可弯曲显示。2、直接使用同一单晶硅膜片形成显示装置中位于显示区域的各薄膜晶体管(即用于驱动的TFT)的有源层，所以最终制成的显示装置的各个像素(例如0LED)驱动电流稳定，不存在不均一的缺陷，因此不需要阀值电压补偿电路，即可获得较高的画面显示品质。 另外，相对现有多晶硅形成的发光显示装置，因单晶硅的电子迁移率更高，薄膜晶体管沟道的宽长比可以更小，因此作为驱动开关的薄膜晶体管可以制作的非常小，从而使显示装置的分辨率得以提高。附图说明图I为现有AMOL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性显示装置的制作方法，其特征在于，包括：将单晶硅膜片粘结在基板上；在粘结有所述单晶硅膜片的基板上形成驱动电路和电激发光器件，并在所述电激发光器件上用透明柔性盖板进行封装，其中，单晶硅膜片形成所述驱动电路中的薄膜晶体管的有源层，所述薄膜晶体管包括位于所述柔性显示装置显示区域的第一薄膜晶体管；去除所述基板，露出所述单晶硅膜片；去除所述单晶硅膜片上所述薄膜晶体管之外区域的单晶硅，并在所述单晶硅膜片上用柔性膜片进行封装。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉清，李炳天，朴承翊，曹成熙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：