有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

有机发光显示装置，包括：有机发光设备，包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、相对电极和有机发射层，第二绝缘层在第一绝缘层上且包括不平坦部分，第三绝缘层在第二绝缘层上，像素电极在第三绝缘层上，相对电极面向像素电极，有机发射层处于像素电极和相对电极之间；薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极/漏电极，源电极/漏电极连接至有源层，第一绝缘层处于有源层和栅电极之间，第二绝缘层处于栅电极与源电极/漏电极之间；以及电容器，包括下电极、上电极和介电层，下电极设置在与栅电极相同的层上，介电层由与第三绝缘层相同的材料形成，上电极设置在与像素电极相同的层上。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2011年9月6日在韩国专利局提交的第10-2011-0090206号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，尤其涉及一种利用简化工艺制造的且降低由视角所引起的色移（colorshift）的有机发光显示装置及其制造方法。
技术介绍
作为下一代显示装置，有机发光显示装置已经引起了广泛的关注，这是因为有机发光显示装置的重量和厚度可以被减小，并且有机发光显示装置具有优良的特性，例如宽视角、优异的对比度和较短的响应时间。
技术实现思路
根据一个实施方式，提供了一种有机发光显示装置，包括：有机发光设备，所述有机发光设备包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、相对电极和有机发射层，所述第一绝缘层设置在衬底上，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上且包括不平坦部分，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上，所述像素电极设置在所述第三绝缘层上，所述相对电极设置为面向所述像素电极，所述有机发射层设置在所述像素电极和所述相对电极之间；薄膜晶体管（TFT），所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述有源层设置在所述衬底上，所述栅电极设置为与所述有源层绝缘，所述源电极和漏电极连接至所述有源层，其中所述第一绝缘层设置在所述有源层和所述栅电极之间，所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述源电极和漏电极之间；以及电容器，所述电容器包括下电极、上电极和介电层，所述下电极设置在与所述栅电极相同的层上，所述上电极设置在与所述像素电极相同的层上，所述介电层由与所述第三绝缘层相同的材料形成且设置在所述下电极和所述上电极之间。所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层可顺序地设置在所述衬底和所述像素电极之间，以及所述第一绝缘层至第三绝缘层的至少两个可具有不同的折射率。所述不平坦部分可包括多个凹部和位于所述多个凹部之间的多个凸部，以及在与所述多个凹部对应的区域中，可完全蚀刻所述第二绝缘层。可沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面，蚀刻所述第一绝缘层，从而延伸所述凹部。有机发光显示装置还可包括设置在所述衬底和所述第一绝缘层之间的缓冲层。所述缓冲层的折射率可与所述第一绝缘层的折射率不同。可沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面，蚀刻所述第一绝缘层和所述缓冲层，从而延伸凹部。设置在所述延伸的凹部之间的凸部的高度可等于或大于0.5μm。所述第三绝缘层的厚度可小于所述第二绝缘层的厚度。所述第三绝缘层的介电常数可大于所述第一绝缘层的介电常数。所述像素电极可包括选自氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）中的至少一种透明传导材料。所述像素电极还可包括半透明金属层。所述像素电极和所述第三绝缘层可具有相同的蚀刻表面。所述上电极和所述介电层可具有相同的蚀刻表面。根据另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，包括：进行第一掩模工艺，在衬底上形成半导体层，并对所述半导体层进行构图，以形成薄膜晶体管（TFT）的有源层；进行第二掩模工艺，形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上叠放第一传导层，并对所述第一传导层进行构图，以形成所述薄膜晶体管的栅电极和电容器的下电极；进行第三掩模工艺，形成第二绝缘层，并对所述第二绝缘层进行构图，以形成不平坦部分、第一开口和第二开口，通过所述第一开口暴露所述有源层，通过所述第二开口暴露所述下电极；进行第四掩模工艺，顺序地形成绝缘层和第二传导层，并且同时对所述绝缘层和所述第二传导层进行构图，以形成设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层和像素电极并形成设置在所述下电极上的介电层和上电极；进行第五掩模工艺，形成第三传导层，并对所述第三传导层进行构图，以形成源电极和漏电极；进行第六掩模工艺，形成第四绝缘层并形成第三开口，通过所述第三开口暴露所述像素电极；以及在所述第三开口上形成有机发射层和相对电极。所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的至少两个可由具有不同折射率的材料形成。所述不平坦部分可包括多个凹部和位于所述多个凹部之间的多个凸部，以及在与所述多个凹部对应的区域中，可完全蚀刻所述第二绝缘层。可沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面，蚀刻所述第一绝缘层，从而延伸所述凹部。该方法还可包括，在进行所述第一掩模工艺之前，在所述衬底上形成缓冲层。所述缓冲层的折射率可与所述第一绝缘层的折射率不同。可沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面，蚀刻所述第一绝缘层和所述缓冲层，以延伸凹部。设置在所述延伸的凹部之间的凸部的高度可等于或大于0.5μm。附图简要说明通过参照附图详细地描述示例性实施方式，上述或其他特征和优点将是显而易见的，其中：图1是根据实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图；图2-图7是根据实施方式连续地示出了制造图1所示的有机发光显示装置的方法的剖视图；图8是根据另一个实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图；以及图9A至9D示出了图1和8所示的有机发光显示装置的色移改善效果。具体实施方式将参照附图更全面地描述本专利技术的实施方式，其中示出了本专利技术的示例性实施方式。图1是根据实施方式的有机发光显示装置1的示意性剖视图。参照图1，缓冲层11、第一绝缘层13和第二绝缘层15可以顺序地设置在衬底10的第一区域100中。缓冲层11、第一绝缘层13和第二绝缘层15可以包括不平坦部分116，该不平坦部分116包括凹部116a和凸部116b，该凸部116b设置在凹部116a之间。第三绝缘层118、像素电极119、有机发射层122和相对电极123可以顺序地设置在第二绝缘层15上。薄膜晶体管（TFT）、第一绝缘层13和第二绝缘层15可以设置在第二区域200中，其中，薄膜晶体管(TFT）包括有源层212、栅电极214、源电极220a和漏电极220b，第一绝缘层13设置在有源层212和栅电极214之间，第二绝缘层15设置在栅电极214、源电极220a和漏电极220b之间，第二区域200在有机发光显示装置1的横向上与衬底10的第一区域100相邻。电容器可以设置在第三区域300中，其中，电容器包括下电极314、介电层318和上电极319，第三区域300在有机发光显示装置1的横向上与第二区域200相邻。焊盘电极420可以设置在第四区域400中，第四区域400在有机发光显示装置1的横向上与第三区域300相邻。衬底10可以由玻璃形成，该玻璃是主要成分为SiO2的透明材料。在其他实施方式中，衬底10可以由各种其他材料形成，例如透明塑料。缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和第三绝缘层118可以顺序地设置在衬底10的第一区域100中。彼此相邻的缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和第三绝缘层118的折射率可以不同。该多个绝缘层可以构成分布布喇格反射器（DBR）共振结构，以改善有机发光显示装置1的光耦合效率和色彩重现性。缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层15和第三绝缘层118可以包括SiNx、SiO2、SiON、HfO2、Si3N4、ZrO2、TiO2、Ta2O4、Ta本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机发光显示装置，包括：有机发光设备，所述有机发光设备包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、相对电极和有机发射层，所述第一绝缘层设置在衬底上，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上且包括不平坦部分，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上，所述像素电极设置在所述第三绝缘层上，所述相对电极设置为面向所述像素电极，所述有机发射层设置在所述像素电极和所述相对电极之间；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述有源层设置在所述衬底上，所述栅电极设置为与所述有源层绝缘，所述源电极和漏电极连接至所述有源层，其中所述第一绝缘层设置在所述有源层和所述栅电极之间，所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述源电极和漏电极之间；以及电容器，所述电容器包括下电极、上电极和介电层，所述下电极设置在与所述栅电极相同的层上，所述上电极设置在与所述像素电极相同的层上，所述介电层由与所述第三绝缘层相同的材料形成且设置在所述下电极和所述上电极之间。

【技术特征摘要】
2011.09.06 KR 10-2011-00902061.有机发光显示装置，包括：有机发光设备，所述有机发光设备包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、相对电极和有机发射层，所述第一绝缘层设置在衬底上，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上且包括不平坦部分，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上，所述像素电极设置在所述第三绝缘层上，所述相对电极设置为面向所述像素电极，所述有机发射层设置在所述像素电极和所述相对电极之间；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述有源层设置在所述衬底上，所述栅电极设置为与所述有源层绝缘，所述源电极和漏电极连接至所述有源层，其中所述第一绝缘层设置在所述有源层和所述栅电极之间，所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述源电极和漏电极之间；以及电容器，所述电容器包括下电极、上电极和介电层，所述下电极设置在与所述栅电极相同的层上，所述上电极设置在与所述像素电极相同的层上，所述介电层由与所述第三绝缘层相同的材料形成且设置在所述下电极和所述上电极之间，其中所述不平坦部分包括多个凹部和位于所述多个凹部之间的多个凸部。2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层顺序地设置在所述衬底和所述像素电极之间，以及所述第一绝缘层至第三绝缘层的至少两个具有不同的折射率。3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中：在与所述多个凹部对应的区域中，完全蚀刻所述第二绝缘层。4.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面，蚀刻所述第一绝缘层，从而延伸所述凹部。5.如权利要求3所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述衬底和所述第一绝缘层之间的缓冲层。6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述缓冲层的折射率与所述第一绝缘层的折射率不同。7.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面，蚀刻所述第一绝缘层和所述缓冲层，从而形成延伸的凹部。8.如权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，设置在所述延伸的凹部之间的凸部的高度等于或大于0.5μm。9.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第三绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。10.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第三绝缘层的介电常数大于所述第一绝缘层的介...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴在焕，张荣真，陈圣铉，朴世勳，李俊雨，金广海，崔锺炫，郑宽旭，李源规，崔宰凡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
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