一种集成透明OLED微显示的图像收发装置及其制作方法制造方法及图纸

一种集成透明OLED微显示的图像收发装置，包括基板、所述基板上的用于感光的光电二极管和所述基板上的用于发光的透明OLED，所述OLED发光光谱和所述光电二极管敏感的光谱不重合，还包括阻光层，所述阻光层针对所述光电二极管而设置，用于仅透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光。在此还提供一种集成透明OLED微显示的图像收发装置的制作方法。通过设置阻光层，发射图像及外界光可通过阻光层的阻挡作用来避免影响图像接收。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及OLED显示技术，尤其涉及一种集成透明OLED微显示的图像收发装置及其制作方法。
技术介绍
有机发光器件(OLED)具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、无视角限制、低功耗、超轻超薄、可具备任何形状，颜色输出为单色、白色或近红外线、寿命长等优点，在平板显示器、平面光源等领域具有巨大的应用前景。结合硅基CMOS驱动电路，可以整合信号撷取、信号处理、控制等功能。参照图I所示的例子，光电二极管嵌入在OLED微显示阵列中的图像收发装置。其中，硅基光电二极管7对近红外光敏感，光电二极管阵列进一步形成近红外图像传感器。 OLED由光反射阳极8、有机发光层5和透明阴极9组成，OLED阵列形成图像显示装置。OLED 发光光谱分布和光电二极管敏感的光谱不重合。图像显示装置通过OLED发射可见光图像， 图像传感器通过光电二极管探测近红外图像。在光电二极管旁边设计OLED发光源并交叉隔开，而发光与感光可以并行操作。若OLED发射近红外光，而光电二极管对可见光敏感，情况类似。图I所示的OLED图像收发装置相比于传统的OLED微显示，最大的优势在于在同一个CMOS芯片上集成显示和成像功能；外部电光器件减少，HMD尺寸减小；系统更加轻便、 便宜，功能更强、性能更高、而功耗更低；可以应用于微型显示器，如HMD头戴显示器、行动装置或微投影装置、HUD抬头显示器、电子观景窗等；具备穿透显示与摄录影的双向微显示器，如互动式HMD、光学检查等；感测器，如光学感测器，作为萤光、颜色，流量测定等。但是，如图I所示的图像收发装置中，发光光源20发出的可见光，一部分成为外输出光10,另一部通过器件内部的反射、散射返回向娃基板方向，其中部分光12被光电二极管探测，硅基光电二极管对可见光也敏感，因此会影响到光电二极管的红外性能。另外，外界环境可见光11也会影响红外光电二极管的性能，从而导致红外图像性能劣化。另一方面，在集成设计上，光电二极管旁边放置OLED发光源，彼此必须交叉隔开。因为如果彼此重叠，OLED将遮挡住光电二极管，影响光电二极管感光；而彼此相邻隔开的话，设计的灵活性受限，并且导致提高OLED显示的分辨率和提高图像传感器的分辨率相矛盾。若OLED发射红外光，则光电二极管只对可见光波段的光敏感，情况与上述类似。
技术实现思路
本专利技术的主要目的就是针对现有技术的不足，提供一种集成透明OLED微显示的图像收发装置及其制作方法，优化图像传感器图像感测的性能。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案一种集成透明OLED微显示的图像收发装置，包括基板、所述基板上的用于感光的光电二极管和所述基板上的用于发光的透明0LED，所述OLED发光光谱和所述光电二极管敏感的光谱不重合，还包括阻光层，所述阻光层针对所述光电二极管而设置，用于仅透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光。所述OLED用于发射可见光，所述光电二极管用于感应近红外波段的红外光，或者，所述OLED用于发射近红外光，所述光电二极管用于感应可见光波段的光。所述光电二极管旁边放置所述0LED，彼此交叉隔开，所述光电二极管相对所述 OLED更靠近所述基板，所述阻光层设于所述光电二极管和所述OLED之间。所述阻光层形成在所述基板上，或形成在设于所述基板与所述OLED之间的层间绝缘层上。所述OLED形成在金属间绝缘层之上，所述阻光层设于所述OLED和所述金属间绝缘层之间。所述阻光层是光吸收层或滤光膜或光吸收层与滤光膜的结合，所述滤光膜是长波 /短波通干涉滤光膜或带通型干涉滤光膜，所述阻光层为光刻成形膜或真空镀膜或高分子材料膜。所述带通型干涉滤光层是多层介质膜，所述多层介质膜具有由高折射率层和低折射率层交替构成的周期性结构。一种集成透明OLED微显示的图像收发装置的制作方法，包括在基板上形成光电二极管和透明OLED的步骤，还包括在所述光电二极管之上形成阻光层的步骤，所述阻光层仅透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光。形成光电二极管、透明OLED和阻光层的步骤包括在p-Si基板上形成η讲；在η阱形成光电二极管；在光电二极管和基板上形成层间绝缘层；在层间绝缘层中形成插拴，在层间绝缘层上形成金属互连线，η阱通过接触件和插拴连接到金属互连线；在层间绝缘层和金属互连线上面形成金属间绝缘层；在所述金属间绝缘层之上形成所述OLED的金属互连线阳极；和在完成CMOS标准制造工艺之后，在金属间绝缘层上形成阻光层。所述金属间绝缘层经化学机械抛光或采用平整材料。本专利技术有益的技术效果根据本专利技术，由于设置了阻光层，若OLED发射可见光而光电二极管感应红外光,贝Ij光电二极管只透过阻光层接收近红外波段的红外光，若OLED发射红外光而光电二极管感应可见光，则光电二极管只透过阻光层接收可见光波段的可见光。对于第一种情况，OLED发射可见光在器件内部反射或散射后，射向光电二极管的光被阻光层吸收或反射，不能被光电二极管探测到，而外界环境光中的可见光被阻光层吸收或反射，也不能被光电二极管探测到，而入射到装置的红外光则不受阻挡，可以被光电二极管探测到，对于第二种情况，OLED 发射红外光在器件内部反射或散射后，射向光电二极管的光被阻光层吸收或反射，不能被光电二极管探测到，而外界环境光中的红外光被阻光层吸收或反射，也不能被光电二极管探测到，而入射到装置的可见光则不受阻挡，可以被光电二极管探测到。通过阻光层的阻挡作用，使得图像收发装置接收图像避免受到发射图像以及外界环境光的不利影响，提高图像探测准确性和可靠性，优化图像探测性能。附图说明图I是已有的OLED微显示图像收发装置的剖面示意图；图2是本专利技术实施例的集成OLED的图像收发装置的剖面示意图；图3是本专利技术实施例中的光阻层的透过率曲线图；图4是本专利技术实施例中的另一光阻层的透过率曲线图；图5是本专利技术实施例中的光阻层的透过率曲线图。具体实施方式以下通过实施例结合附图对本专利技术进行进一步的详细说明。如图2所示，一种集成OLED微显示的图像收发装置，该装置包括硅基板，硅基板上的光电二极管和娃基板上的透明0LED。一实施例中，OLED发射可见光,而光电二极管用于感应近红外波段的红外光，即该装置发射可见光图像，接受近红外图像。图像收发装置中针对光电二极管设有阻光层，发射图像与接收图像通过图像收发装置中阻光层的阻挡作用来避免对光电二极管产生不利的可见光照影响。阻光层20可具有红外光透过率大于90%、截止可见光的特性，可见光透过率小于O. 1%。其中另一实施例的OLED发射红外光,则光电二极管只对可见光波段的光敏感,该装置发射近红外光图像，接受可见光图像。发射图像与接收图像同样通过阻光层的阻挡作用来避免相互影响。阻光层可具有可见光透过率大于90%、截止近红外光的特性，红外光透过率小于O. 1%。阻光层可以是光吸收层，也可以是滤光膜，也可以是这两者的结合。阻光层可以采用光刻的方式成形。阻光层20可以制作在如图2所示的基板I上，也可以制作在层间绝缘层6上。但优选地，阻光层在完成CMOS标准制造工艺之后，制作在图像收发装置内的金属间绝缘层上， 这种方式与标准CMOS工艺兼容。金属间绝缘层可进行化学机械抛光或采用平整材料(如有机材料)进行平整处理，以确保之后制作的OLED和阻光层的性能。OLE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成透明OLED微显示的图像收发装置，包括基板、所述基板上的用于感光的光电二极管和所述基板上的用于发光的透明OLED，所述OLED发光光谱和所述光电二极管敏感的光谱不重合，其特征在于,还包括阻光层，所述阻光层针对所述光电二极管而设置，用于仅透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘萍，
申请(专利权)人：深圳典邦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：