一种基于注入距离的电流源模型的建立方法技术

本发明专利技术公开了一种基于注入距离的电流源模型的建立方法，具体步骤如下：根据注入离子的种类，确定注入离子的线性传输能量；设定需要评估的注入距离；根据得到的注入离子的线性传输能量和设定的注入距离，得到注入电流表示式。本发明专利技术的电流源模型的建立方法引入了注入距离，可以有效地表征在一定距离下单粒子对器件的影响，进而可以方便的对于粒子对周围器件的影响进行分析。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于 微电子的集成电路设计
，如航空电子的中的辐照加效应仿真技木，特别涉及航空专用集成电路设计评估方法。
技术介绍
太空中的高能粒子包括重粒子、质子、α粒子、中子等。它们能导致半导体器件发生单粒子效应，严重影响到航天器的可靠性和寿命。单粒子效应是指辐射中的高能带电粒子在穿过电子器件敏感区时，能量沉积，产生大量的电子-空穴对，并在漂移过程中分别被η区和P区所收集，从而产生瞬时脉冲电流，使器件敏感节点的逻辑状态受到影响的现象。其中，造成器件节点产生电平错误翻转的单粒子效应称为为(Single Event Upset, SEU)。因此如何用电流源表征该瞬时脉冲电流，对于评估器件的单粒子翻转效应敏感性非常重要。现在采用的电流源注入模型是G. C. Messenger于文献“Collection of charge onjunction nodes fromion tracks, ” IEEE Trans. Nuc1. Sc1. , vol. NS-29, no. 6, pp. 2024 -2031，Dec. 1982.中提出的双指数模型，如下权利要求1.，具体步骤如下 5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于注入距离的电流源模型的建立方法，具体步骤如下：S1.根据注入离子的种类，确定注入离子的线性传输能量；S2.设定需要评估的注入距离；S3.根据步骤S1得到的注入离子的线性传输能量和S2中设定的注入距离，得到注入电流表示式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李磊，周婉婷，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：