射频识别中的电流注入型混频器制造技术

技术编号:7601276 阅读:246 留言:0更新日期:2012-07-22 03:26
本发明专利技术公开了一种射频识别中的电流注入型混频器,其跨导电路包括两个电流注入管。两个电流注入管分别和第一电流路径、第二电流路径并联组成两个射频偏置电流路径,分别为第一输入跨导管和第二输入跨导管提供射频偏置电流。两个电流注入管也为两个输入跨导管,其信号输入端分别和一对射频电压差分信号相连。本发明专利技术能增加混频器的总的输入跨导和增益、能降低混频器的噪声系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种混频器,特别是涉及一种射频识别中的电流注入型混频器
技术介绍
随着物联网技术的发展,对相关设备的性能提出了更高的要求,而射频识别 (RFID)作为物联网的重要组成部分,也同样要求RFID阅读器和标签具有较高的性能。混频器作为RFID中的一个重要模块,其主要功能是通过两个信号相乘实现频率转换。转换增益、噪声、线性度等是混频器的关键性能指标,直接影响着RFID系统的性能。混频器一般是由跨导级、开关级以及负载组成的,跨导级将射频电压信号转换成射频电流信号,本振信号输入到开关级,从而控制晶体管的开和关,最后经由负载得到所需要的信号。如图1所示,为现有Gilbert混频器的电路图,现有Gilbert混频器是由跨导电路、开关电路、尾电流电路和负载电路组成。所述负载电路包括第一负载电阻R1和第二负载电阻&,第一负载电阻R1和第二负载电阻&的第一端都和电源电压VDD相连。所述开关电路包括第一 NMOS开关管M4、第二 NMOS开关管M5、第三NMOS开关管M6 和第四NMOS开关管M7 ;所述第一 NMOS开关管M4和第二 NMOS开关管M5的源极相连接组成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:马和良景一欧
申请(专利权)人:上海华虹集成电路有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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