一种投影光学系统技术方案

本发明专利技术提供一种投影光学系统，沿投影光学系统光轴方向依次安置第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组、第四透镜组、第五透镜组并处于同一光轴；第一透镜组和第三透镜组具有负光焦度；第二透镜组、第四透镜组和第五透镜组具有正光焦度；第一透镜组接收输入光束并输出第一发散光束；第二透镜组接收第一发散光束并输出第二发散光束；第三透镜组接收第二发散光束并输出第一会聚光束；第四透镜组接收第一会聚光束并输出第三发散光束；第五透镜组接收第三发散光束并输出第二会聚光束，将第二会聚光束会聚到像面。本发明专利技术在高分辨率和大数值孔径的条件下，有效地减少镜片数量、降低系统的加工、检测、装调成本，同时也能提供较大的物方和像方工作距。

【技术实现步骤摘要】
一种投影光学系统
、本专利技术涉及光刻系统中的投影光学系统，尤其涉及一种高分辨率的投影光学系统。
技术介绍
自70年代集成电路IC问世以来，经历了从小规模到超大规模的发展阶段，其进步得益于光刻的飞速发展。光刻是大规模集成电路制造中最重要的工序之一，光刻中使用的曝光设备，通过投影光学系统以分步重复或扫描方式将掩模上图形准确投影到涂有光刻胶的硅片上进行曝光，曝光质量的好坏对后续的显影、刻蚀、去胶工艺影响很大。随着集成电路制造的发展，对投影光学系统的分辨率要求也越来越高。根据瑞利法则，分辨率表达式如下R = Ic1 λ /NA上式中R代表光刻机的分辨率，Ic1代表工艺因子，λ代表投影光学系统的工作波长，NA代表投影光学系统的数值孔径。所以，为了提高分辨率，需要将光源的波长缩短或将投影光学系统的数值孔径增大。在过去的30多年中，投影光学系统波长已从436nm(g线) 缩短到365nm(i线)、进而转向深紫外波段的248nm(KrF准分子激光)、193nm(ArF准分子激光)。数值孔径由最初的O. 3逐渐增大，但是，采用大数值孔径的投影光学系统必须使用更多的镜片来校正系统的各种像差以获得波像差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种投影光学系统，其特征在于：用于将物面内的图案投射到像平面上，沿投影光学系统光轴方向安置有第一透镜组(G1)、第二透镜组(G2)、第三透镜组(G3)、第四透镜组(G4)和第五透镜组(G5)，并且第一透镜组(G1)、第二透镜组(G2)、第三透镜组(G3)、第四透镜组(G4)和第五透镜组(G5)处于同一光轴，从光束入射方向顺序第一透镜组(G1)具有负光焦度、第二透镜组(G2)具有正光焦度、第三透镜组(G3)具有负光焦度、第四透镜组(G4)具有正光焦度和第五透镜组(G5)具有正光焦度，其中：第一透镜组(G1)，接收输入光束，对物面发出的光束进行发散，得到并输出第一发散光束；第二透镜组(G2)，接收...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冉英华，邢廷文，张海波，吕保斌，陈红丽，白瑜，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：