等离子体镀膜装置制造方法及图纸

等离子体镀膜装置，其包括真空室和抽真空装置，在真空室上有阀门；传动系统包括真空室内的样品台和传动装置；同轴等离子体枪系统包括同轴内外电极及工程陶瓷绝缘套，内外电极间有间隙；脉冲电磁阀进气系统；同轴等离子体枪系统；充放电系统包括电源、与其连的充放电元件及控制系统；同轴等离子体枪系统部分在真空室内，真空室内的端部开口，脉冲电磁阀进气系统与内电极连接，工程陶瓷绝缘套在脉冲电磁阀进气系统与内电极的连线外，有充氮气口，内电极与脉冲电磁阀进气系统连接的端部设连通内外电极的间隙和内外电极的间隙的进气孔。本发明专利技术通过等离子体镀膜装置对材料表面进行改性、镀膜，解决了PVD和CVD的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种镀膜装置，特别是指一种等离子体镀膜装置。
技术介绍
进入二十世纪八十年代，人们开始把过去用于热核聚变研究和军事高技术武器研究的强流脉冲加速器和同轴等离子枪等所产生的脉冲大功率粒子束和等离子体束用于材料表面改性和制膜研究。镀膜沉积技术很多，常用的镀膜沉积技术有物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。CVD工艺需要在高温下进行，并使用特殊前驱体来降低反应温度，因此耗能高、环境污染严重；PVD工艺对环境友好，适合沉积三元和多元亚稳定薄膜，沉积温度低，不会降低基体硬度，但是存在薄膜与基体结合力不够理想以及沉积速率低等问题
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种等离子体镀膜装置。为了解决上述问题，本专利技术采取以下技术方案一种等离子体镀膜装置，包括真空系统、传动系统、脉冲电磁阀进气系统、同轴等离子体枪系统和充放电系统；所述真空系统包括真空室和抽真空装置，所述抽真空装置与所述真空室连通，在真空室上对应设有阀门；所述传动系统包括样品台和使样品台转动的传动装置，所述样品台放置样品，所述传动装置可使样品台进行横向两维的平移和高度的调整；所述同轴等离子体枪系统包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体镀膜装置，其特征在于，包括真空系统、传动系统、脉冲电磁阀进气系统、同轴等离子体枪系统和充放电系统；所述真空系统包括真空室和抽真空装置，所述抽真空装置与所述真空室连通，在真空室上对应设有阀门；所述传动系统包括样品台和使样品台转动的传动装置，所述样品台放置样品，所述传动装置可使样品台进行横向两维的平移和高度的调整；所述同轴等离子体枪系统包括同轴设置的内电极和外电极以及工程陶瓷绝缘套，内电极和外电极之间存有间隙；所述充放电系统包括直流脉冲电源、充放电元件以及控制系统；所述同轴等离子体枪系统部分位于所述真空室内，其位于所述真空室内的端部开口，使内电极和外电极之间的间隙与所述真空室连通，所述...

【技术特征摘要】
1.一种等离子体镀膜装置，其特征在于，包括真空系统、传动系统、脉冲电磁阀进气系统、同轴等离子体枪系统和充放电系统； 所述真空系统包括真空室和抽真空装置，所述抽真空装置与所述真空室连通，在真空室上对应设有阀门； 所述传动系统包括样品台和使样品台转动的传动装置，所述样品台放置样品，所述传动装置可使样品台进行横向两维的平移和高度的调整； 所述同轴等离子体枪系统包括同轴设置的内电极和外电极以及工程陶瓷绝缘套，内电极和外电极之间存有间隙； 所述充放电系统包括直流脉冲电源、充放电元件以及控制系统； 所述同轴等离子体枪系统部分位于所述真空室内，其位于所述真空室内的端部开口，使内电极和外电极之间的间隙与所述真空室连通，所述样品台位于真空室内，脉冲电磁阀进气系统与所述内电极电连接，所述工程陶瓷绝缘套套在脉冲电磁阀进气系统与所述内电极连接的线路外，并在该工程陶瓷绝缘套上开设有充氮气口，所述内电极与所述脉冲电磁阀进气系统连接的端部设有进气孔，所述进气孔通过进气通道连通内电极和外电极之间的间隙，所述进气通道与所述内电极和外电极之间的间隙连通，所述直流脉冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦学运，杨思泽，
申请(专利权)人：韦学运，
类型：发明
国别省市：