一种引线支架的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种引线支架的制造方法，包括以下步骤：熔融，注入坯模，冷却；将铸坯热轧压延；将热轧带材反复进行冷轧压延和双级连续退火；冷轧压延加工使其厚度变化量达到40％以上，再进行低温退火，得到带材成品，制造过程中控制成分含量Fe2.0～2.6wt％、Ti0.05～0.1wt％、B0.01～0.03wt％、Na0～0.05wt％、Mo0.01～1.5wt％、其余为Cu和杂质。采用上述带材制成引线支架。本发明专利技术的铜铁合金合金组织均匀、析出相细小弥散；成品的抗拉强度高、硬度高、电导率高、延伸率高，能较好地满足电子工业领域对引线框架材料性能的诸多要求；本发明专利技术引线支架用铜铁合金还具有优良的热加工性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种用于半导体器件的引线支架的制造方法。
技术介绍
目前，电子信息产业已经成为我国的一个重要支柱产业，半导体器件作为这个支柱产业的基石，其包括外部封装和内部集成电路；集成电路(IC)包括芯片、引线和引线支架、粘接材料、封装材料等。其中，引线支架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体，同时也具有连接外部电路、传送电信号以及散热等功能。因此IC封装需要具备高强度、高导电、高导热性及良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。我国引线支架材料的研究、试制、生产起步较晚，引线支架铜带生产规模小、品种规格少，目前只有少数企业可以进行批量生产很少型号的合金，而且存在质量精度差，质量不稳定、软化点低、内应力不均匀、宽度与厚度公差超差、外观要求不合格等问题。目前铜铁合金作为制造引线支架的主要材料，已占到市场总额的80%，合金牌号具有100多种。其中我国生产的C194合金是其中具有代表性的一种。但是，目前生产的C194引线支架铜铁合金的质量还不能满足要求，精度差，品种规格少，性能不稳定，铜带成品率不到50%，在板型状况、残余内应力、表面光洁度、边部毛刺等方面存有较大缺陷。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线支架的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：?（1）首先将主料及辅料在1250～1350℃熔融后注入坯模，在液相线温度至380℃的温度范围内以80℃/min以上的冷却速度进行冷却，在制造过程中控制合金成分及含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；?（2）将得到的铸坯在1000℃以下的加热温度进行热轧压延，在制造过程中控制成分含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％...

【技术特征摘要】
1.一种引线支架的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤 (O首先将主料及辅料在1250 1350°C熔融后注入坯模，在液相线温度至380°C的温度范围内以80°C /min以上的冷却速度进行冷却，在制造过程中控制合金成分及含量Fe为2.O 2. 6wt%,Ti 为 O. 05 O. lwt%、B 为 O. 01 O. 03wt%,Na 为 O O. 05wt%,Mo 为O.01 I. 5wt%、其余组分为Cu和不可避免的杂质； (2)将得到的铸坯在1000°C以下的加热温度进行热轧压延，在制造过程中控制成分含量 Fe 为 2. O 2. 6wt %、Ti 为 O. 05 O. Iwt %、B 为 O. 01 O. 03wt %、Na 为 O O. 05wt %、Mo为O. 01 I. 5wt%、其余组分为Cu和不可避免的杂质； (3)将热轧带材反复进行冷轧压延和300°C 600°C双级连续退火，在制造过程中控制成分含量 Fe 为 2. O 2. 6wt%, Ti 为 O. 05 O. Iwt B 为 O. 01 O. 03wt%, Na 为 O O.05wt%,Mo为O. 01 I. 5wt%、其...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛艳明，袁志伟，
申请(专利权)人：江苏金源锻造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：