延迟电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种延迟电路。该延迟电路的第一PMOS晶体管（P1）的源极连接至输入端（Vin），栅极和漏极通过电阻（R）接地（GND）；第一CMOS反相器（11）、第二CMOS反相器（12）、第一施密特反相器（SD1）、第三CMOS反相器（13）、第二施密特反相器（SD2）和第四CMOS反相器（14）依次串接于第一PMOS晶体管（P1）的漏极和输出端（Vout）之间；第二PMOS晶体管（P2）的源极连接至输入端（Vin），栅极连接至第三CMOS反相器（13）的输入端，漏极连接至第三CMOS反相（13）的PMOS晶体管（P）的源极。电路结构简单，对信号的衰减较小，MOS结构便于集成电路的应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种延迟电路，包括输入端（Vin）和输出端（Vout），其特征在于，还包括两只PMOS晶体管（P1，P2）、两只施密特反相器（SD1，SD2）、电阻（R）和四只CMOS反相器（11，12,13,14）；第一PMOS晶体管（P1）的源极连接至输入端（Vin），栅极和漏极通过电阻（R）接地（GND）；第一CMOS反相器（11）、第二CMOS反相器（12）、第一施密特反相器（SD1）、第三CMOS反相器（13）、第二施密特反相器（SD2）和第四CMOS反相器（14）依次串接于第一PMOS晶体管（P1）的漏极和输出端（Vout）之间；所述CMOS反相器包括PMOS晶体管（P）和NMOS晶体管（N），所述PMOS晶体管（P）和NMOS晶体管（N）的栅极连接作为该CMOS反相器的输入端，漏极连接作为该CMOS反相器的输出端，第一CMOS反相器（11）、第二CMOS反相器（12）、第四CMOS反相器（14）的PMOS晶体管（P）的源极至输入端（Vin）且NMOS晶体管（N）的源极连接至地（GND），第三CMOS反相（13）的NMOS晶体管（N）的源极连接至地（GND），PMOS晶体管（P）的源极连接至的第二PMOS晶体管（P2）的漏极；所述第二PMOS晶体管（P2）的源极连接至输入端（Vin），栅极连接至第三CMOS反相器（13）的输入端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：桑园，王晓娟，王纪云，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：