【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种芯片级封装声表面波器件，其特征在于：?在基板表面制作出声表面波器件的金属引出电极，和围绕器件的金属接地框；??采用绝缘薄膜完全覆盖覆晶结构，使绝缘薄膜密接覆晶结构，并在覆晶结构处使倒置芯片有源区与基板表面间有一定间隔，均形成一空腔；去除倒置芯片背面部分绝缘薄膜；沿基板表面金属接地框内侧，将覆晶结构外的绝缘薄膜去除，覆晶结构仍被绝缘薄膜密接封闭；在已部分覆盖绝缘薄膜的基板上，淀积全部覆盖的金属膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，周宗闽，王祥邦，姚艳龙，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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