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本实用新型公开了一种芯片级封装声表面波器件，其在基板表面除制作出声表面波器件的引出金属电极外，还制作有围绕器件的金属接地框；采用绝缘薄膜完全覆盖覆晶结构阵列，使绝缘薄膜密接覆晶结构，并在覆晶结构处使芯片有源区与基板表面间有一定间隔，均形成一...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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