荧光X射线分析装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及的荧光X射线分析装置包括：试样台(8)，载置具有结晶构造的试样(S)；X射线源(1)，对试样(S)照射一次X射线(2)；检测机构(7)，检测从试样(S)产生的二次X射线(4)；旋转机构(11)，使试样台(8)旋转；平行移动机构(12)，使试样台(8)平行移动；选择机构(17)，基于与试样(S)的旋转角度和在其角度所产生的二次X射线(4)的强度相对应而取得的衍射图案，来选择至少3个相邻间隔不到180°，且可回避衍射X射线的回避角度；以及控制机构(15)，其控制旋转机构(11)以将试样(S)设定在回避角度，该回避角度为试样台(8)、旋转机构(11)以及平行移动机构(12)不会干涉该装置的其他构造物的角度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于一种装置及方法，其在具有结晶构造的试样的荧光X射线分析中，能容易将入射在检测器的特定波长的衍射X射线的强度抑制在最低限度，来进行正确的分析。该结晶构造为用于半导体电路元件的单晶晶圆(单晶硅晶圆、单晶镓砷晶圆等)、或在单晶硅晶圆的测定面整个区域附着有电极膜等所构成的监控晶圆之类的结晶构造。·
技术介绍
目前，例如在硅晶圆的表面层的分析中，对试样表面照射一次X射线，来检测并分析从试样表面所产生的二次X射线的强度。在对单晶硅晶圆的测定面局部地形成铝(Al)、硅(Si)以及铜(Cu)所组成的配线膜而构成的半导体基板中，进行其配线膜的膜厚、成分浓度等品质检查的情形，一般是使用如下的荧光X射线分析装置，其经由与该半导体基板同样的工序，以在单晶硅晶圆的测定面整个区域附着配线膜而构成的监控晶圆为试样，对该试样照射一次X射线，来检测并分析从试样产生的二次X射线。有一种荧光X射线分析方法，在试样的荧光X射线分析之前，使试样绕着试样上的既定点旋转180° (度)以上，并且对该试样照射一次X射线，来检测从试样所产生的含有荧光X射线及衍射X射线的二次X射线，将试样定位于所取得的二次X射线强度显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：喜多广明，小林宽，
申请(专利权)人：株式会社理学，
类型：
国别省市：