X射线源和荧光X射线分析装置制造方法及图纸

技术编号:3148678 阅读:188 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
设置叠在主靶(18)上的副靶(19)。电子枪(14)产生的电子束(15)入射到主靶(18),主靶(18)使连续X射线(20)穿透并放射。副靶(19)使主靶(18)放射的连续X射线(20)激励的特性X射线(21)穿透并放射。将主靶(18)和副靶(19)叠置,使主靶(18)放射的连续X射线(20)高效率地激励副靶(19),高效率地产生特性X射线(21)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及放射特性x射线的x射线源和使用该射线源的荧光x射线分析装置。
技术介绍
普通的x射线源通过将用高压加速的电子入射到作为阳极的靶,放射轫致(日文制動)X射线和靶特有的特性X射线(例如日本国专利公开2004 — 28845 号公报,第4 第5页,图1 图2)。轫致X射线的能谱连续且由白色构成,其频谱分布因入射的电子能量而变 化;特性X射线不依赖于电子能量,为耙固有的单一能量分布的单色。荧光X 射线分析测量将特性X射线入射到试样时放射的荧光X射线的信号能量分布, 鉴定试样中的元素的种类、量,但利用为提高分析性能而钻研的各种X射线源。荧光X射线分析装置中,通过利用具有已知频谱的特性X射线激励试样, 容易区分荧光X射线的信号和入射X射线的散射(噪声分量),可作S / N比(信 噪比)高的元素分析,所以试行使X射线源放射的X射线频谱为接近单色的频 谱的试验,并且其一部分达到实用。图29是示出利用上述特性X射线的高分辨率的荧光X射线分析装置的一 般组成例的图。这里,构成使用普通的X射线源1,将该X射线源1放射的作 为连续能谱的1次X射线的连续X射线2入射到副靶3,使其放射特性X射线, 通过设置在外部的准直透镜5,照射到试样6,使试样6的表面的元素受到激 励而发出荧光X射线7,并且用X射线检测器8检测出该荧光X射线7。此组成的特性X射线的放射方式中,必须将X射线源1和副靶3分开设置。 连续X射线2往全周方向、即4兀方向放射,其强度与距离的平方成反比地减 小,所以巳有的组成中,X射线源2放射的连续X射线照射副靶3的效率低,为了提高副靶3放射的X射线4的强度,需要具有输出大的X射线源1。因而, 高分辨率的荧光X射线分析装置大型化,耗电增大,X射线屏蔽规模增加;结 果,导致成本增加,成为强化对普及的制约的主要原因(例如,荧光X射线分析的现状和展望,中井泉,应用物理,第74巻,第4号,2005年,第455 页 第456页)。图30是示出近年显著用于检査作为试样6的半导体晶圆表面污染的全反射荧 光X射线分析(TXRF),但特性X射线4需要以对半导体晶圆表面尽量恒定而 且小于等于0.1度的非常小的角度入射,所以适合包含例如扇状的扇射束的片 射束形状。上述高分辨率的荧光X射线分析装置中,提供能高效率产生特性X射线4 的X射线源1成为重要课题。试样副靶3的组成在将非所需分量(噪声)的混入 比率抑制得低并使特性X射线4维持高单色性地放射方面,是有效的方法,但 已有方法的组成将副靶3放在X射线源1的外部,连续X射线2被往全方向(4兀 方向)放射,所以按距离的平方衰减,激励副靶3用的连续X射线2的利用率 降低。X射线源1的外部还需要配置副靶3和—争色滤波器的空间,所以形成系 统大型化的问题。作为此从属影响,需要将副靶3至试样6的距离设定得长,所以为了确保 特性X射线4对试样6的强度,要求应用强度大的X射线源,因而成为导致X 射线的屏蔽规模增大、装置造价增加的主要原因。另一方面,所放射X射线的频谱中极力不含非所需的噪声分量、进一步提 供依据分析对象选择多个特性X射线的X射线源,这些也成为课题。尤其是探求取得半导体领域中显著普及的高分辨率全反射荧光X射线分析 中要求的低噪声、即高单色性、片状X射线束的X射线源。本专利技术是鉴于上述方面而完成的,其目的在于提供一种X射线源和使用该 X射线源的荧光X射线分析装置,该X射线源和使用该X射线源的荧光X射 线分析装置能高效率产生特性X射线并抑制噪声分量混入到放射的特性X射 线,而且容易取得适合例如全反射荧光X射线分析的片射束形状的特性X射线。
技术实现思路
本专利技术的X射线源,具备产生电子束的电子枪;从所述电子枪入射电子 束,而且使X射线穿透并放射的主靶;以及配置成叠在所述主靶上而且使所述 主靶放射的X射线激励的特性X射线穿透并放射的副靶。本专利技术的X射线源,具备带有X射线透射窗的真空室;在所述真空室内 产生电子束的电子枪;配置在所述真空室内,并从所述电子枪入射电子束并往 反射方向放射X射线的主靶;以及在所述真空室内配置成与以所述主靶为中心的四周对置,并将由所述主靶放射的x射线激励的特性x射线往朝向所述x射线透射窗的反射方向放射的副靶。本发叨的X射线源,具备带有X射线透射窗的真空室;在所述真空室内 产生环状电了-束的电子枪;在所述真空室内配置成环状,并从所述电子枪入射 环状电子束后往反射方向放射X射线的主靶;以及在所述真空室内配置成与以 所述主耙的中心对置,并将由所述主靶放射的X射线激励的特性X射线往朝向 所述X射线透射窗的反射方向放射的副靶。本专利技术的X射线源,具备带有X射线透射窗的真空室;配置在所述真空 '么内的产牛:电F束的接地电位的电子枪;在所述真空室内配置在X射线透射窗 的位胃,并从所述屯子枪入射电子束并往反射方向放射X射线的主靶;以及在 所述真空室内配置在X射线透射窗的位置,而且使所述主靶放射的X射线激励 的特性X射线穿透并放射的副靶。本专利技术的X射线源,具备产生电子束的电子枪;从所述电子枪入射电子 束,而且使X射线穿透并放射的主靶;以及具有叠在所述主靶上并对主靶的X射线产生位置可移动的多个副靶,而且配置在所述x射线发生位置的副靶使由 所述t:靶放射的x射线穿透并放射的副靶体。木专利技术的X射线源,具备带有X射线透射窗的真空室;在所述真空室内 产生电子束的电子枪;靶体;以及使所述真空室内的靶体移动的移动机构,该 靶体被配置在所述真空室内,具有叠置并组合不同的主靶和副靶的多组靶部, 将该多组耙部做成可对所述电子枪入射电子束的电子束入射位置移动,配置在 所述电下束入射位置的靶部的主靶利用电子束的入射使X射线穿透并放射,而且其副耙使主靶放射的X射线激励的特性X射线穿透后,从所述X射线透射 窗放射。本专利技术的X射线源,具备带有X射线透射窗的真空室;在所述真空室内 产生电子束的电子枪;靶体;以及使所述真空室内的靶体移动的移动机构,该靶体被配置在所述真空室内,具有叠置并组合不同的主靶和副靶的多组靶部, 将该多组靶部做成可对所述电子枪入射电子束的电子束入射位置移动,配置在所述电子束入射位置的靶部的主靶利用电子束的入射使x射线穿透并放射,其副靶使主靶放射的X射线激励的特性X射线穿透后,从所述X射线透射窗放 射,而且滤波器使包含在副靶放射的特性X射线中的K(3射线和Ka射线中KP 射线减弱且Koc射线穿透并放射。本专利技术的X射线源,具备带有设置成可移动的X射线透射窗的真空室;在所述真空室内产生电—r束的电子枪;以及靶体,该靶体在所述真空室内被设S在X射线透射窗,并具有叠置并组合不同的主靶和副靶的多组靶部,利用所 述X射线透射窗的移动,将该多组靶部做成n丁对所述电子枪入射电子束的电子 束入射位置移动,配置在所述电子束入射位置的靶部的主靶利用电子束的入射 使X射线穿透并放射,而且其副靶使由主靶放射的X射线激励的特性X射线 穿透后,从所述X射线透射窗放射。本专利技术的X射线源,具备带有设置成可移动的X射线透射窗的真空室; 在所述真空室内产生电7束的电子枪;以及靶体,该靶体在所述真空室内被设 置在X射线透射窗,并具有叠置并组合不同的主靶和副靶的多组靶部,利用所 述X射线透射窗的移动,将该多组靶部做成可对所述电子枪入射本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种X射线源,其特征在于,具备:    产生电子束的电子枪;    从所述电子枪入射电子束,而且使X射线穿透并放射的主靶;以及    副靶,该副靶配置成叠在所述主靶上,而且使由所述主靶放射的X射线激励的特性X射线穿透并放射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-2-1 024071/2006;JP 2006-2-1 024261/20061、一种X射线源,其特征在于,具备产生电子束的电子枪;从所述电子枪入射电子束,而且使X射线穿透并放射的主靶;以及副靶,该副靶配置成叠在所述主靶上,而且使由所述主靶放射的X射线激励的特性X射线穿透并放射。2、 如权利要求1中所述的X射线源,其特征在于,具备使包含在副靶放射的特性X射线中的Kp射线和Kcc射线中Kp射线减弱 且Ka射线穿透并放射的滤波器3、 一种X射线源,其特征在于,具备 带有X射线透射窗的真空室; 在所述真空室内产生电子束的电子枪;配置在所述真空室内,并从所述电子枪入射电子束并往反射方向放射X射 线的主耙;以及副耙,该副靶在所述真空室内配置成与以所述主靶为中心的四周对置,并将由所述主靶放射的X射线激励的特性X射线往朝向所述X射线透射窗的反 射方向放射。4、 一种X射线源,其特征在于,具备 带有X射线透射窗的真空室; 在所述真空室内产生环状电子束的电子枪;在所述真空室内配置成环状,并从所述电子枪入射环状电子束后往反射方向放射X射线的主靶;以及副靶,该副靶在所述真空室内配置成与以所述主靶的中心对置,并将由所述主耙放射的X射线激励的特性X射线往朝向所述X射线透射窗的反射方向放射。5、 一种X射线源,其特征在于,具备 带有X射线透射窗的真空室;配置在所述真空室内的产生电子束的接地电位的电子枪;在所述真空室内配置在x射线透射窗的位置,并从所述电子枪入射电子束并往反射方向放射X射线的主靶;以及副靶,该副靶在所述真空室内配置在X射线透射窗的位置,而且使由所述主靶放射的x射线激励的特性x射线穿透并放射。6、 如权利要求3至5中任一项所述的X射线源,其特征在于,在X射线透射窗的位置具备包含在使副靶放射的特性X射线中的K(5射线 和Ka射线中Kp射线减弱且Kcc射线穿透并放射的滤波器。7、 一种X射线源,其特征在于,具备 产生电子束的电子枪;从所述电子枪入射电子束,而且使X射线穿透并放射的主靶;以及 副靶体,该副靶体具有叠在所述主靶上并对:主靶的X射线产生位置可移动的多个副耙,而且配置在所述X射线发生位置的副靶使由所述主靶放射的X射线穿透并放射。8、 如权利耍求7中所述的X射线源,其特征在于,具备滤波器体,该滤波器体含有对X射线发生位置可移动的多个滤波器, 并且配置在所述X射线发生位置的滤波器使包含在副靶放射的特性X射线中的 K(3射线和Ka射线中K卩射线减弱且Kcc射线穿透并放射。9、 一种X射线源,其特征在于,具备 带有X射线透射窗的真空室;在所述真空室内产生电子束的电子枪; 耙体;以及移动机构,该移动机构使所述真空室内的靶体移动,该靶体被配置在所述 真空室内,具有叠置并组合不同的主靶和副靶的多组靶部,将该多组靶部做成 可对所述电子枪入射电子束的电子束入射位置移动,配置在所述电子束入射位 置的靶部的主靶利用电子束的入射使X射线穿透并放射,并且其副靶使主靶放 射的X射线激励的特性X射线穿透后,从所述X射线透射窗放射。10、 如权利要求9中所述的X射线源,其特征在于,具备含有与多个靶部对应的多个滤波器,并在真空室的X射线透射窗外侧 设置成能与靶体合为一体地移动,而且配置在所述X射线入射位置的与靶部对应的滤波器使包含在副靶放射的特性X射线中的K(5射线和Kot射线中K(5射线 减弱且Ka射线穿透并放射的滤波器体。11、 一种X射线源,其特征在于,具备 带有X射线透射窗的真空室、 在所述真空室内产生电子束的电子枪、 靶体、以及移动机构,该移动机构使所述真空室内的靶体移动,该靶体被配置在所述 真空室内,具有叠置并组合不同的主靶和副耙的多组靶部,将该多组靶部做成 可对所述电子枪入射电子束的电子束入射位置移动,配置在所述电子...

【专利技术属性】
技术研发人员:青木延忠角谷晶子
申请(专利权)人:东芝电子管器件株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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