阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置，其阵列基板包括：衬底基板，形成于所述衬底基板上的薄膜晶体管、栅线、数据线以及像素电极，所述薄膜晶体管包括：依次形成于所述衬底基板上的底栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅极、栅隔离层以及源电极、漏电极；其中，所述源电极和漏电极通过穿过所述栅隔离层和第二栅绝缘层的第一过孔和第二孔，与所述有源层相接触；所述像素电极与所述漏电极相接触。本发明专利技术在选择合适的硅膜条件下可以实现上下表面同时形成反型层，在硅膜全耗尽的情况下，上下表面的反型层中的载流子浓度随栅压的增大会急剧增加，其驱动能力和亚域特性、频率响应特性更接近理想状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置。
技术介绍
随着信息和网络的发展，电子显示技术已经作为一种被广泛应用的技术。目前应用广泛的有 LCD (Liquid Crystal Display)显不设备，以及 AMOLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)。通常IXD及AMOLED显示设备的驱动方式采用有源矩阵驱动技术，如TFT (Thin Film Transistor)阵列基板驱动的方式。现有的阵列基板均采用单侧栅结构，单侧栅的阵列基板在导通的情况下仅在靠近栅的一侧有导电沟道存在，而且电子在运输过程中受到散射的几率大，导致迁移率不高，限制了阵列基板的性能。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种阵列基板、阵列基板制作方法及显示装置，以提高阵列基板的性能以及改善阵列基板的驱动能力、亚域特性。(二)技术方案为解决上述问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板，形成于所述衬底基板上的薄膜晶体管、栅线、数据线以及像素电极，所述薄膜晶体管包括依本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，形成于所述衬底基板上的薄膜晶体管、栅线、数据线以及像素电极，其特征在于，?所述薄膜晶体管包括：依次形成于所述衬底基板上的底栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、顶栅极、栅隔离层以及源电极、漏电极；?其中，所述源电极和漏电极通过穿过所述栅隔离层和第二栅绝缘层的第一过孔和第二孔，与所述有源层相接触；所述像素电极与所述漏电极相接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：