【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种固态储存装置及其控制方法,且特别是有关于一种固态储存装置及其损耗平均(wear leveling)控制方法。
技术介绍
众所周知,固态储存装置(Solid State Drive, SSD)使用与非门闪存(NAND flashmemory)为主要存储元件,而此类的闪存为一种非易失性(non-volatile)的存储器元件。也就是说,当数据写入闪存后,一旦系统电源关闭,数据仍保存在闪存中。请参照图1,其所绘示为已知固态储存装置的示意图。固态储存装置10中包括一控制单元101与一闪存105。控制单元101与闪存105之间利用一内部总线107进行数据 的存取,而控制单元101利用一外部总线20与主机(host) 12之间进行指令与数据的传递。其中,外部总线20可为USB总线、IEEE 1394总线或SATA总线等等。一般来说,闪存中105包括许多区块(block),而每个区块中又包括多个页(page)或称为段(sector)。例如,一个区块中有64页,而每个页的容量为4K bytes。再者,由于闪存105的特性,每次数据写入时是以页为最小单位,而 ...
【技术保护点】
一种固态储存装置,其特征在于,该固态储存装置包含:控制单元,该控制单元包括历史指引数目产生器,用以产生历史指引数目;以及闪存,连接至该控制单元,该闪存中具有多个区块,其包括第一区块及第二区块,其中,该第一区块具有第一抹除次数并储存有第一数据,且该第一数据对应第一历史指引数目;该第二区块具有第二抹除次数并储存有第二数据,且该第二数据对应第二历史指引数目;其中,该控制单元根据该第一抹除次数与该第一历史指引数目以及该第二抹除次数与该第二历史指引数目,判断是否执行该第一数据与该第二数据的数据交换操作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李世强,陈凌风,
申请(专利权)人:建兴电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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