【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于ー种固态储存装置及其控制方法,且特别是有关于ー种固态储存装置及其高速缓存(cache memory)的控制方法。
技术介绍
众所周知,固态储存装置(Solid State Drive, SSD)使用与非门闪存(NAND flashmemory)为主要存储元件,而此类的储存装置为ー种非挥发性(non-volatile)的存储器元件。也就是说,当资料写入闪存后,一旦系统电源关闭,资料仍保存在固态储存装置中。请參照图1,其所绘示为固态储存装置的示意图。固态储存装置10中包括ー控制单元101、高速缓存(cache memory) 107与ー闪存105。在固态储存装置10内部,控制单元101连接至与闪存105与高速缓存107,以控制闪存105与高速缓存107的资料存取。而在固态储存装置10外部,控制单元101利用一外部总线20与主机(host) 12之间进行指令与资料的传递。其中,外部总线20可为USB总线、IEEE 1394总线或SATA总线等等。再者,高速缓存107为ー个缓冲单元(buffering unit)用以暂时地储存写入资料以及读取资料。当固 ...
【技术保护点】
一种固态储存装置的高速缓存控制方法,其中该固态储存装置具有一闪存,该闪存具有多个区块,每一该区块中具有多个页,包括下列步骤:接收一更新资料,并储存于一第一快取单元,其中该更新资料对应于该闪存中一特定页的部分原始资料;读取储存于该特定页内的该原始资料,并将未被更新的该原始资料储存于该第一快取单元,将欲被更新的该原始资料储存于一第二快取单元;以及将该第一快取单元内的该更新资料及该未更新的原始资料储存于该闪存中的一空白页。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈奕任,庄吉贤,陈彦仲,赖昀佐,
申请(专利权)人:建兴电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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