【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储
,特别是涉及一种提高FLASH使用寿命的方法。
技术介绍
随着电子技术的发展,电子设备的功能日益丰富,为了实现电子设备的功能,人们需要把各种的数据存储到相应的电子设备的存储芯片中,一般采用FLASH存储器进行存储。FLASH存储器又称闪存,是一种非易失性存储器,广泛应用于嵌入式系统中,集合了只读内存(ROM)和随机存储器(RAM)的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还可以快速读取数据,使数据不会因为断电而丢失。·FLASH存储器可以进行读写操作,在进行写操作之前要先进行擦除,FLASH存储器按照块为单位进行擦除,当对FLASH进行同一地址高频率的擦写操作后,FLASH会很快出现坏扇区从而影响存储器的正常使用。
技术实现思路
基于上述不足,有必要提供一种提高FLASH使用寿命的方法,以解决高频率的擦写操作影响FLASH使用寿命的问题。一种提高FLASH使用寿命的方法,所述FLASH用于存储用户数据,包括以下步骤从FLASH中划出两个以上的存储单元,所述每一存储单元的数据存储区能够完整存储所述用户数据;每一次更新所述用户数据时,将更新后 ...
【技术保护点】
一种提高FLASH使用寿命的方法,所述FLASH用于存储用户数据,其特征在于,包括以下步骤:从FLASH中划出两个以上的存储单元,所述每一存储单元的数据存储区能够完整存储所述用户数据;每一次更新所述用户数据时,将更新后的用户数据存储在另一非当前存储单元中;所述两个以上的存储单元依次轮流存储所述用户数据。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李新乐,康婷霞,
申请(专利权)人:TCL光电科技惠州有限公司,
类型:发明
国别省市: