【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态存储
,尤其涉及一种闪存数据管理方法及系统。
技术介绍
在现有固态硬盘的FTL(Flash Translation layer,闪存转换层)中,基于页映射技术都是将NAND FLASH(NAND型闪存)的物理页大小作为逻辑页大小,即物理页和逻辑页是一一对应的。虽然主机系统的最小操作单位为逻辑块,其大小为512B,但是实际读写文件往往是4KB (由文件系统决定),以往的NAND FLASH的物理页大小都是不大于4KB,所以无需区分逻辑页和物理页。但目前NAND FLASH的物理页大小主要是8KB/16KB,甚至更大。在这种情况下,仍然采用物理页作为逻辑页,主机随机写入会产生大量4KB大小的操作,那么操作的颗粒度和实际物理页大小产生矛盾。如图I所示,当主机(host)写入4KB数据时,固态硬盘首先根据映射表从物理页(PPA)X中读取12K数据,和主机的4KB数据合并后,再写入物理页t中。即产生大量的RMW(Read-Modify_Write,读-修改-写)操作,不仅影响写入性能,而且使垃圾页回收频繁发生,从而WA(Write Amplific ...
【技术保护点】
一种闪存数据管理方法,其特征在于,所述方法包括:建立多个逻辑页映射到同一物理页的逻辑物理地址映射表,所述逻辑物理地址映射表以所述逻辑页为索引,每个逻辑页对应一个物理页值,该物理页值包括分别指向实际物理页地址和对应一个逻辑页的索引值的数据段;在写数据操作时将该逻辑页映射到一物理页并更新所述逻辑物理映射表,或者在读数据操作时则根据所述逻辑页读取逻辑物理地址映射表,索引到相应的物理页。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:方浩俊,王猛,徐伟华,
申请(专利权)人:记忆科技深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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