一种硅基纳米尺寸有序多孔硅的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基纳米尺寸有序多孔硅的制备方法，步骤为：（1）将n型单面抛光的单晶硅片依次放入丙酮溶剂，无水乙醇、去离子水中分别超声清洗；（2）利用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备多孔硅层，采用质量分数为5~9%的氢氟酸水溶液作为腐蚀液，施加腐蚀电流密度为75~155mA/cm2，腐蚀时间为5~30min，室温并无需借助光照。本发明专利技术具有简单快速，有效实用、可操作性强等优点，制得多孔硅的孔径在百纳米级，兼有高孔隙率和孔道高度有序的特点，本发明专利技术通过控制氢氟酸浓度、腐蚀电流密度和腐蚀时间能够实现硅基纳米尺寸有序多孔硅的目的，是用于制备生物和化学传感器元件的理想材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅基纳米尺寸有序多孔硅的制备方法，具有以下步骤：?(1)清洗硅片：?将n型单面抛光的单晶硅片依次放入丙酮溶剂，无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20分钟，除去表面油污；随后放入质量分数为5%的氢氟酸水溶液中浸泡15分钟，除去表面的氧化层；再用去离子水洗净，最后将硅片放入无水乙醇中备用；?(2)制备硅基多孔硅?利用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备多孔硅层，先将质量分数为5~9%的氢氟酸水溶液作为腐蚀液加入腐蚀槽内，再向两个半槽分别插入一对铂金属电极作为阴极和阳极，然后把硅片装配在夹具内，夹具两面开设有腐蚀窗口；为保证密封性，夹具四周用密封胶带缠好，紧密固定在腐蚀槽中部的插槽里；将直流稳压恒流源连接阳极和阴极，接通电流进行腐蚀；施加腐蚀电流密度为75~155mA/cm2，腐蚀时间为5~30min，制备条件为室温并且无需借助光照；?腐蚀过程结束后，拔出夹板，制得硅基多孔硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，李明达，刘青林，闫文君，马双云，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：