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本发明公开了一种硅基纳米尺寸有序多孔硅的制备方法，步骤为：（1）将n型单面抛光的单晶硅片依次放入丙酮溶剂，无水乙醇、去离子水中分别超声清洗；（2）利用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备多孔硅层，采用质量分数为5~9%的氢氟酸水溶液作为腐蚀...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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