用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置制造方法及图纸

多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置，并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于通过利用热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置在花键轴的阳花键部上形成DLC(类金刚石碳)膜的方法，还涉及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置。
技术介绍
在例如车辆中使用的传动轴中，两个轴通过花键相互匹配以允许轴向滑动运动。花键部需要滑动能力和耐磨性。在这些花键部上形成DLC(类金刚石)膜以满足这种要求在现有技术中是已知的(见日本专利申请公报No. 2011-122663 (JP 2011-122663A))。 用于形成DLC膜的方法已知包括CVD (化学气相沉积)方法、PVD (物理气相沉积)方法、离子气相沉积方法等。CVD方法还包括利用热阴极PIG型等离子源的热阴极PIG(潘宁电离计)等离子CVD方法(见日本专利申请公报No. 2006-169589 (JP 2006-169589A))。通常，将多个花键轴放置在装置内，在多个花键轴的阳花键部上同时形成DLC膜。优选减小在相应的阳花键部上形成的DLC膜的膜厚度的不规则性，以降低多个阳花键部之间性能的个体变化。
技术实现思路
本专利技术提供了一种在花键轴上形成DLC膜的方法，该方法能够在通过热阴极PIG等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于通过热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)在花键轴(1)的阳花键部(16)上形成类金刚石碳膜(16c)的方法，其中，所述热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)包括：i)真空室(60)，所述真空室(60)容纳所述花键轴(1)；ii)等离子枪(80)；iii)反射电极(91)，所述反射电极(91)布置在所述真空室(60)内；iv)第一线圈(92)，所述第一线圈(92)绕所述等离子枪(80)布置；v)第二线圈(93)，所述第二线圈(93)布置在反射电极(91)侧，所述第二线圈(93)面对所述第一线圈(92)；vi)热阴极潘宁电离计型等离子源(70)，所述热阴极潘宁电离计型...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安藤淳二，铃木知朗，小川友树，岩井昭宪，吉村信义，桥富弘幸，
申请(专利权)人：株式会社捷太格特，株式会社CNK，
类型：发明
国别省市：