制备SiC涂层的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备SiC涂层的方法，该方法包括以下步骤：1)在石墨基材的表面上涂覆高纯硅粉或高纯氮化硅粉末从而形成涂层，其中涂层厚度在200-1000微米范围内；2)把具有上述涂层的石墨基材在一氧化硅气体或含有惰性气体的一氧化硅气体氛围下加热到1300-1500℃，并保持1-10小时，在石墨基材的表面上涂覆的高纯硅粉或高纯氮化硅粉变成β相SiC；3)冷却至100-500℃后，将所述石墨基材从所述气体氛围下取出，继续冷却至室温，用纯水洗掉所述涂层表面的粉末状SiC，从而得到相对致密的且与石墨基材结合紧密的SiC涂层。本发明专利技术提供的制备方法操作简单、成本低廉，且对石墨基材的表面无苛刻要求，是一种廉价的涂层制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在直拉单晶硅和定向凝固多晶硅过程中，温度控制是关键，合理的温度梯度是保证直拉单晶硅和定向凝固多晶硅产品的基础。而温度梯度是由热场所产生的，热场是石墨部件和保温碳毡的总称。保温碳毡的主要作用在于形成温度梯度，石墨部件是把相对纯度较低的保温碳毡和硅熔液隔开，且承担支撑作用。但是由于石墨部件内部存在的杂质在高温下会挥发出来，污染硅熔液；以及石墨部件易受氧化硅气体的侵蚀，造成石墨部件的寿命 较短。为此，高档的石墨部件都会在表面进行处理，形成SiC涂层，该涂层一方面会阻止石墨部件内部的杂质(例如铁、铝等)挥发出来进入硅熔液中，从而提高硅产品的质量；另一方面会阻止闻温的氧化娃气体对石墨部件的侵蚀，从而提闻石墨部件的寿命。一般采用化学气相沉积(CVD)的方法在石墨基材的表面上制备SiC涂层，但是制备SiC涂层的成本非常闻，，并且对石墨基材的要求也非常闻，造成具有SiC涂层的石墨部件无法推广。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够在石墨基材的表面上低成本地。该制备方法操作简单、成本低廉，且对石墨基材的表面无苛刻要求，是一种廉价的涂层制备方法。为实现上述目的，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备SiC涂层的方法，该方法包括以下步骤：1)在石墨基材的表面上涂覆高纯硅粉或高纯氮化硅粉从而形成涂层，其中所述涂层厚度在200?1000微米范围内；2)把具有上述涂层的石墨基材在一氧化硅气体或含有惰性气体的一氧化硅气体氛围下加热到1300?1500℃，并保持1?10小时，在石墨基材的表面上涂覆的高纯硅粉或高纯氮化硅粉变成β相SiC；3)冷却至100?500℃后，将所述石墨基材从所述气体氛围下取出，继续冷却至室温，用纯水洗掉所述涂层表面的粉末状SiC，从而得到相对致密的且与石墨基材结合紧密的SiC涂层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟涛，姚玖洪，
申请(专利权)人：镇江仁德新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：