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本发明提供了一种制备SiC涂层的方法，该方法包括以下步骤：1)在石墨基材的表面上涂覆高纯硅粉或高纯氮化硅粉末从而形成涂层，其中涂层厚度在200-1000微米范围内；2)把具有上述涂层的石墨基材在一氧化硅气体或含有惰性气体的一氧化硅气体氛围下...
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