制备化学机械抛光层的方法技术

本发明专利技术涉及制备化学机械抛光层的方法，提供了用于化学机械抛光垫的抛光层的制备方法，其中最小化了抛光层中密度缺陷的形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及制备抛光层的领域。具体地，本专利技术涉及用于化学机械抛光垫的抛光层的制备方法。
技术介绍
在集成电路和其它电子器件的制造中，在半导体晶片的表面上沉积多层的导体材料、半导体材料和介电材料，或者将这些材料层从半导体晶片的表面除去。可以使用许多沉积技术沉积导体材料、半导体材料和介电材料的薄层。现代加工中常用的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电化学镀覆(ECP)。当材料层被依次沉积和除去吋，晶片的最上层表面变得不平。因为随后的半导体 加工(例如镀覆金属)需要晶片具有平坦的表面，所以所述晶片需要被平面化。平面化可用来除去不合乎希望的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面，团聚材料，晶格破坏，划痕和污染的层或材料。化学机械平面化，或者化学机械抛光(CMP)是ー种用来对基材，例如半导体晶片进行平面化的常用技木。在常规的CMP中，将晶片安装在支架组件上，设置在与CMP设备中的抛光垫接触的位置。所述支架组件为晶片提供可控制的压力，将其压向抛光垫。通过外界驱动カ使得抛光垫相对于晶片运动(例如转动)。与此同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光垫的抛光垫的制备方法，该方法包括：提供具有模底和四周壁的模具，其中，所述模底和四周壁限定了模腔，所述模底沿着x?y平面定向，所述模腔具有垂直于x?y平面的中心轴C轴，所述模腔具有环形孔区域和环形区域；提供液体预聚物材料；提供多个微要素；提供具有喷嘴开口的喷嘴；将所述液体预聚物材料与所述多个微要素结合形成可固化混合物；在加料段CP时，通过所述喷嘴开口向模腔中加入可固化混合物，其中所述加料段CP分成三个独立的相，记作初始相、转变相和剩余相；其中，在加料段CP时，所述喷嘴开口的位置沿着模腔的中心轴C轴相对于模底移动，从而当在模腔中收集所述可固化混合物时，将喷嘴开口的位置维持在模腔...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K·麦克休，J·T·默南，G·H·麦克莱恩，D·A·赫特，R·A·布雷迪，C·A·扬，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：