X射线装置电源系统控制电路制造方法及图纸

技术编号:8378599 阅读:181 留言:0更新日期:2013-03-01 06:59
本实用新型专利技术涉及一种X射线装置,具体的说是一种X射线装置电源系统控制电路,其特征在于:包括四组MOSFET管组成的全桥逆变电路,以及连接在全桥逆变电路上的灯丝逆变器,还包括反并在每个MOSFET管上的二极管,以及并联在每个MOSFET管上的吸收电容。本实用新型专利技术同现有技术相比,当开关管关断时,其电流转移到并联的吸收电容上,电容限制了开关管两端电压的上升率,电压从零慢慢升高,从而实现了开关管的零电压关断,同时也实现了反并二极管的零电压开通,可大大降低开关的损耗以及开关过程中对电路的冲击。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种X射线装置,具体的说是一种X射线装置电源系统控制电路
技术介绍
目前大多数的X射线装置的控制电路一般采用谐振逆变电路结构的控制方式,这种电路的控制方式有PWM和PFM两种。其中PWM逆变电路结构,其开关频率一般为30KHZ左右,开关管的开通为零电流状态,但关断为硬关断,存在关断损耗;故开关关断时的应力较大。而采用PFM逆变电路结构,其发生器的谐振频率为80KHZ左右,最高控制频率为 40KHZ左右,为谐振频率的一半,这种控制方式的开关开通属于零电流状态,关断为零电流和零电压状态;反并二极管为自然开通和关断。所以电路的开关应力和开关损耗很小,但是仅可采用普通的IGBT模块作为开关原件,而IGBT由于关断时电流的拖尾比较长,所以比较适用于零电流的工作方式。
技术实现思路
本技术克服了现有技术的不足,提供了一种X射线装置电源系统控制电路,可大大降低开关的损耗以及开关过程中对电路的冲击。为了实现上述目的,本技术设计了一种X射线装置电源系统控制电路,其特征在于包括四组MOSFET管组成的全桥逆变电路,以及连接在全桥逆变电路上的灯丝逆变器,还包括反并在每个MOSFET管上的二极管,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种X射线装置电源系统控制电路,其特征在于:包括四组MOSFET管组成的全桥逆变电路,以及连接在全桥逆变电路上的灯丝逆变器,还包括反并在每个MOSFET管上的二极管,以及并联在每个MOSFET管上的吸收电容。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:谢嘉杰
申请(专利权)人:上海中科再启医疗设备有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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