一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明专利技术采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于体声波谐振器
，更具体地，涉及。
技术介绍
随着现代无线通信技术向高频、高速方向发展，人们对高频通信中常用的前置滤波器提出了更高的要求，如高性能、微波集成化等。目前射频系统中使用的带通滤波器主要有微波介质陶瓷滤波器和声表面波(SAW)滤波器。介质陶瓷滤波器虽然性能好但存在体积大和工艺兼容性差等问题，限制了其进一步的发展。虽然SAW滤波器具有较高的Q值，几何尺寸也比较小，但由于其叉指电极的指宽和指间距与工作频率成反比，增加了光刻工艺的难度，使其高频应用受到限制。薄膜体声波谐振器(FBAR)是一种新兴的射频滤波器。相对于传统的介质陶瓷滤波器和SAW滤波器，其工作频率高(最高可达20GHz)、温度系数小、功率容量大、损耗低、抗干扰好、体积小、成本低、可大批量生产。因此，制备一种高效率、谐振·频率可调的薄膜体声波谐振器成为了一个研究热点。可调FBAR采用Si单晶为衬底，主要结构是金属层-压电层-金属层的三明治结构。为将能量束缚在三层结构内，常采用两种方法一是在衬底和器件之间利用Si腐蚀的各项异性特性，用微机械加工工艺制备空气层以隔离能量；第二种方法是由Si02/W、Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在所述阻挡层上制备布拉格反射栅，所述布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在所述布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；所述多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将所述多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在所述晶化薄膜上制备顶电极后获得所述可调薄膜体声波谐振器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅邱云，周东祥，罗为，龚树萍，胡云香，郑志平，刘欢，赵俊，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：