ITO基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ITO基板，包括基板和沉积在所述基板的一个表面的第一ITO膜层，所述第一ITO膜层为纳米结晶态。上述ITO基板包括基板和沉积在所述基板的一个表面的第一ITO膜层，第一ITO膜层为纳米结晶态。纳米结晶态的第一ITO膜层，其内部离子呈周期性排列，具有各向异性，而非晶态的ITO膜层，其内部离子的排列无周期性，具有各向同性。这种ITO基板的纳米结晶态的第一ITO膜层与传统的非晶态的ITO膜层相比，电阻率较低。本发明专利技术还提供一种上述ITO基板的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电基板制备领域，特别是涉及一种ITO基板及其制备方法。
技术介绍
ITO (铟锡氧化物)薄膜是一种η型半导体材料，具有导电率高、可见光透光率高、机械硬度高和化学性质稳定等优点。因此，它在等离子显示器、液晶显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及电子仪表的透明电极等领域有广泛的应用。传统的电容式触摸屏使用的ITO基板，通过在室温条件下采用磁控溅射镀膜的工艺在基板上沉积ITO膜层得到。然而，这种条件制备的ITO膜层为非晶态，从而使制得的ITO基板的ITO膜层的电阻率较高。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种ITO膜层电阻率较低的ITO基板及其制备方法。一种ITO基板，包括基板和沉积在所述基板的一个表面的第一 ITO膜层，所述第一ITO膜层为纳米结晶态。在一个实施例中，所述第一 ITO膜层的厚度为20nnT40nm ；所述基板的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯。在一个实施例中，所述第一 ITO膜层包含按照质量百分比1°/Γ20%的SnO2，余量为In2O3 ；或所述第一 ITO膜层包含按照质量百分比O. 3°/Γ5%的TiO2,余量为Ιη203。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO基板，其特征在于，包括基板和沉积在所述基板的一个表面的第一ITO膜层，所述第一ITO膜层为纳米结晶态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柳锡运，江成军，余俊佼，夏国涛，李章国，李路，李国勇，杨俊峰，
申请(专利权)人：深圳南玻显示器件科技有限公司，
类型：发明
国别省市：