【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于分子磁体合成
，特别涉及一种由C0(II)-羧基构筑的一维配位聚合物磁性材料及其制备方法。
技术介绍
近年来，分子磁体由于具有密度低，透明性好以及合成方法更温和等优点，成为磁性材料领域最为活跃的研究领域之一(Y. Z. Zheng, M. L. Tong, ff. X. Zhang, X. M. Chen,Angew. Chem. Int. Ed. 2006，6310—6314; T. Liuj Y. J. Zhang, Z. M. Wang, S. GaojInorg. Chem. 2006，45，2782-2784; B. Janj N. Christian, Dalton Trans. 2010，39，11019-11026.)。金属配合物分子磁体是目前研究得最广泛、最深入的一类分子磁体，其自旋载体为顺磁性金属离子。借助于晶体工程，人们可以通过控制自旋承载中心的位置和连接方式来获得磁性质改善或复合其它有用性质的配合物。由这些高自旋的配合物进行适当的分子组装，可以形成多核、一维、二维及三维分子磁体。然而，设计和构筑这类化合物仍然具有很大的挑战性。因此，进一步的研究和探索，对于配位聚合物领域有着非常重要的意义，对开发新型磁性材料也会产生很大的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新颖的由Co(II)-羧基构筑的一维配位聚合物磁性材料及其制备方法。本专利技术采用的技术方案如下一种由Co (I I)-羧基构筑的一维配位聚合物磁性材料，所述磁性材料分子式为n，晶体属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a = 16.125(3...
【技术保护点】
一种由Co(II)?羧基构筑的一维配位聚合物磁性材料，其特征在于，所述磁性材料分子式为[Co(C9H5N2O4)2]n，晶体属于单斜晶系，空间群为C2/c,晶胞参数为：a?=?16.125(3)??,?b?=?6.8063(14)???,?c?=?15.592(3)??,α=?90°,β=?108.985(4)?°,γ=?90°。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李亚敏，肖昌玉，赵晓伟，李海燕，马鹏涛，金邻豫，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：
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