【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，特别是一种。
技术介绍
随着全球性环境污染问题日益严重和纳米制备技术的高速发展，纳米材料的光催化降解有机污染物的研究成为材料科学、催化科学以及环境科学等研究领域的热点之一。ZnO是一种新型宽带隙II-IV族半导体材料，带隙能为3. 37 eV，具有价格低廉、无毒、稳定等优点，同时在光催化过程中光生电子和空穴复合程度较小，可在紫外光激发条件下发生光催化反应而催化降解有毒有机污染物，因此被认为是极具应用前景的高活性光催化剂之O虽然关于溶液分散的ZnO纳米结构的光催化降解有机污染物的研究很多，但是纳米颗粒光催化剂难以回收，因此催化剂重复利用率较低。基于衬底生长的ZnO纳米线阵列，可以解决催化剂回收难的问题。2007年，台湾清华大学Huang课题组将硅基ZnO纳米线阵列进行光催化降解有机污染物的研究，虽然基于硅衬底生长的ZnO纳米线阵列解决了催化剂回收难、重复利用率低的困难，但是此种方法的降解率较低，降解率达到90%以上需要5小时。而其中纳米线阵列的长度是影响催化性能的重要因素。因此，在硅衬底上制备超长的ZnO纳米线阵列，并...
【技术保护点】
一种光电催化剂多层氧化锌纳米线阵列的制备方法，其特征在于该方法的具体步骤为：a)????????将单面抛光的100硅片进行预处理；?b)????????将二水合乙酸锌溶于乙醇中配制成浓度为0.01?0.02M的溶液，然后旋涂在步骤a所得硅片上15?20次，烘干；c)????????将石墨粉和氧化锌按1:1的的质量比研磨，使其充分混合后，采用化学气相沉积法，在步骤b所得沉积上氧化锌，工艺参数为：以35?70?sccm的流速通入氩气和1?2?sccm流速通入氧气，保持真空度恒为400?mbar，在900?950℃温度下，保温30分钟，待温度降至室温后取出样品；?d)??????...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李珍，林栋，李翠，康维君，王雪嫄，廖浩伯，潘登余，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
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