高压直流发光元件制造技术

一种高压直流发光元件，包括：一承载座，承载座包括数个导电部与一导热部；至少一颗发光二极管数组芯片，设置在承载座的导热部上，发光二极管数组芯片包括一基板及数个发光二极管单元共同形成于基板上；一封胶体，设于承载座上；发光二极管数组芯片以数颗串接形成串联的芯片组，各芯片间距保持在100μm以上，于各芯片间距中，填设二氧化钛粉末作为散射层；发光二极管数组芯片，其各芯片上的发光二极管单元串联后的总电压在DC100伏特～220伏特。本实用新型专利技术特别适用于狭小空间的灯具，不需要变压器，大幅降低产品结构重量与简化制程，增进光萃取效率，减少电源消耗与浪费，提高电路稳定性，增加使用寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

高压直流发光元件
本技术是有关一种高压直流发光元件(HV DC LED)，尤指一种勿须使用变压器，适用于以市电高电压驱动的小型灯具，但不限定于此。
技术介绍
现有的发光二极管(LED)，仅须2 4伏特(V)的电压，因此如以市电(AC110 220V)供给电源时，必须经过整流器及变压器的后方可提供现有的LED使用。次者，以LED作为灯泡的光源，其构造如图IA所示，将数个单颗的LED 11设于一电路板12上，并于该电路板12连接有整流器14及变压器13，用以将交流电力以直流电力的型态输出，使数个单颗的LED 11被点亮，形成一 LED灯泡IOA的照明灯具。但查，上述LED灯泡IOA内部必须容置整流器14及变压器13，才能将市电的交流 (AC)电流转换为直流(DC)流电，其中变压器13的体积大且重量亦重，如将其置于LED灯泡 IOA内部，则其灯泡IOA的体积受到限制，无法适用于图IB所示的小型LED灯泡10B，为其未臻完善之处。再者，现有数个发光二极管数组芯片，其设置于灯泡内时常发生芯片间距太接近， 而产生相互吸收光能，而降低光效率的问题点。是以，解决上述缺失为本技术的主要课题。
技术实现思路
本技术所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种高压直流发光元件，其具有省去繁复的电源设计，特别适用于狭小空间的灯具，且不需要变压器，可大幅降低产品结构重量与简化制程的功效，各芯片具有最佳化间距及散射设计，据以增进光萃取效率的功效，简化发光二极管，使其具有在色温偏移与热稳定性佳的特征，可作为稳定的照明光源，其可依照各地区域电压不同需求，以芯片数搭配方式组合出最佳电压，可减少电源消耗与浪费，并提高电路稳定性，增加使用寿命的功效。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种高压直流发光元件，包括一承载座，该承载座包括数个导电部与一导热部，该导电部分别设于该导热部两侧，并区分为正负极；至少一颗发光二极管数组芯片，设置在该承载座的导热部上，该发光二极管数组芯片包含一基板及数个发光二极管单元共同形成于该基板上，并与该导电部形成电性连接；以及一封胶体，设于该承载座上；其特征在于该发光二极管数组芯片以数颗串接形成串联的芯片组，且各芯片间距保持在 IOOum以上，并于各芯片间距中，填设二氧化钛粉末作为散射层；以及该发光二极管数组芯片，其各芯片上的发光二极管单元串联后的总电压系在DC100伏特(V) 220伏特(V)，据以构成一高压直流发光兀件。依据本技术前述特征，该二氧化钛粉末的高度(h)为发光二极管数组芯片的高度⑶的1/2 2/3为较佳。承上，该发光二极管数组芯片的高度为100 120um，而该填设各芯片间距的二氧化钛粉末的高度为50 80um。再者，该发光二极管数组芯片的电性连接方式包括为导线连接、覆晶型式或是共晶型式。借助上述技术手段，本技术的高压直流发光元件(HV DC LED)，特别适用于狭小型LED灯具，且具有提升可靠度及使用寿命的功效。本技术的有益效果是，其具有省去繁复的电源设计，特别适用于狭小空间的灯具，且不需要变压器，可大幅降低产品结构重量与简化制程的功效，各芯片具有最佳化间距及散射设计，据以增进光萃取效率的功效，简化发光二极管，使其具有在色温偏移与热稳定性佳的特征，可作为稳定的照明光源，其可依照各地区域电压不同需求，以芯片数搭配方式组合出最佳电压，可减少电源消耗与浪费，并提高电路稳定性，增加使用寿命的功效。附图说明以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图IA是现有LED灯泡的示意图。图IB是现有小型灯炮的示意图。图2是本技术的结构分解示意图。图3是本技术的示意图。图4是图3所示进一步填入二氧化钛粉末的示意图。图5是图4所示进一步设置封胶体的示意图。图6是本技术的俯视图。图7是本技术的剖视图。图8是本技术的芯片间距放大俯视图。图9是本技术的芯片间距放大侧视图。图IOA及图IOB是本技术的芯片可行实施例剖视图。图IlA及图IlB是本技术的可行电路方块图。图12是本技术的使用状态参考图。图中标号说明20承载座21导热部22正电极(导电部)23负电极(导电部)24 凹杯30、30’发光二极管数组芯片31 基板32发光二极管单元33电性连接结构34 电极440导线50 二氧化钛粉末60封 胶体70高压直流发光元件80市电90整流器具体实施方式首先，请参阅图2 图12所示，本技术的高压直流发光元件70，较佳实施例包括一承载座20，由绝缘材料所构成，本实施例中，该承载座20设有一凹杯24，并以凹杯24上设有一导热部21，且该导热部21两侧分别设有正电极22与负电极23所构成的导电部，本实施例中，该正、负电极22、23各有三支导线架，各该导线架内侧伸入于该凹杯24 中，而外侧则裸露出该承载座20，用以与外部电源连接。如图2所示，至少一颗发光二极管数组芯片30，设置于该承载座20的导热部21 上，并与该导电部的正、负电极22 23形成电性连接；以及如图5所示，一封胶体60，设于该承载座20上。上述构成属先前技术(Prior Art)，为发光二极管的基本原理及构造，熟悉此项技术者，皆可据可实施，容不赘述。而，该发光二极管数组芯片30以数颗做串接形成串联的芯片组，本实施例中，该芯片组由十颗发光二极管数组芯片30所构成，但不限定于此。而以下的实施例以十颗芯片做说明，能方便了解。至于，该发光二极管数组芯片30、30’，其一可行实施例如图10及IOB所示，包括一基板31及数个发光二极管单元32共同形成于该基板31上，本实施例中的发光二极管单元32分别为3粒及6粒，但不限定于此，其可实际需求增减。至于，该发光二极管数组芯片 30、30’的制成，包括可以利用有机金属化学气相沉积法于基板31上形成磊晶层，随后利用微影蚀刻成预定数量的发光二极管单元32。此外，该发光二极管单元32除了可以磊晶成长方式直接成长于基板31，亦可以黏着、覆晶等方式形成，之后再于基板31上形成电极34， 最后，以电性连接结构33连接。该电极34用以与前述的承载座20的导电部(正、负电极 22,23)形成电性连接，如此即为一颗发光二极管数组芯片30的基本构造，由于上述发光二极管数组芯片30、30’，其设成IOV 40V不等，且其可为一般单层或双层发光结构，亦可有单一波长或两种以上波长组合而成，颜色部分可为单一色光或是两种以上色光组合。图IlA及图IlB所示是本技术的高压直流发光元件70的可行实施例的电路方块图。其中图IlA所示的发光二极管数组芯片30如图IOA所示，由3粒发光二极管单元 32所示，如一粒发光二极管单元32须3. 5V，则3粒须要10. 5V，而10颗发光二极管数组芯片30共须105V，也就是可适用一般IlOV的市电80，勿须变压器，只须经过一交流变直流 (AC TO DC)的整流器90，即可提供高压直流发光元件70使用。同理，图IlB所示，由6粒发光二极管单元30’所串接，其电压为3粒的一倍，即共须210V的高电压，此可适用于市电为220V的电流直接使用。承上，本技术的芯片30可设成IOV 40V不等，然后依各地区电压不同需求， 依瓦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压直流发光元件，包括：一承载座，该承载座包括数个导电部与一导热部，该导电部分别设于该导热部两侧，并区分为正负极；至少一颗发光二极管数组芯片，设置在该承载座的导热部上，该发光二极管数组芯片包括一基板及数个发光二极管单元共同形成于该基板上，并与该导电部形成电性连接；以及一封胶体，设于该承载座上；其特征在于；该发光二极管数组芯片以数颗串接形成串联的芯片组，且各芯片间距保持在100um以上，并于各芯片间距中，填设二氧化钛粉末作为散射层；以及该发光二极管数组芯片，其各芯片上的发光二极管单元串联后的总电压在DC100伏特(V)～220伏特(V)，以构成一高压直流发光元件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：謝佳翰，黃志騰，許伯聰，
申请(专利权)人：琉明斯光電科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：