有通过绝缘体被组织成行和列的导体或半导体材料的平行纳米线的塞贝克/珀耳帖热电转换单元和制作过程制造技术

有通过绝缘体被组织成行和列的导体或半导体材料的平行纳米线的塞贝克/珀耳帖热电转换单元和制作过程。一种可堆叠单元（A1、A2）或更一般地适合被模块式联结到其他类似单元的新颖和有效结构，用于形成塞贝克/珀耳帖热电转换装置的相对地大尺寸的隔膜，可以用普通的平面处理技术制造。该结构基本上由第一介电材料（2）和第二介电材料（3）的交替层的叠层（A1、A2）组成，该第一介电材料（2）适合被淀积成厚度小于或等于约50μm的膜，有低的热导率，并且用具体化合物的溶液可蚀刻，该第二介电材料（3）有低的热导率，但不被该溶液蚀刻。对于全部宽度，该叠层被平行沟槽（T1、T2、T3）断续隔开，平行沟槽的宽度（w）可以对应于光刻处理分辨率允许的定义的最小线宽，该光刻处理被用于定义该平行沟槽，但该宽度可以最终受其他参数限制，首先是该叠层的高度（h），为了形成该平行沟槽，该叠层高度（h）遭到切割该叠层的竖直蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有通过绝缘体被组织成行和列的导体或半导体材料的平行纳米线的塞贝克/珀耳帖热电转换单元和制作过程
本公开一般涉及塞贝克/珀耳帖热电转换装置，尤其涉及利用跨越绝缘隔膜延伸的导体或半导体材料的平行纳米线的装置。
技术介绍
塞贝克(Seebeck)效应是热电现象，根据该现象，在细长的导体或半导体中，其各部分之间的温度差产生电。该效应由物理学家Thomson J. Seebeck于1821年发现，宣称这种效应本身为遭受温度梯度VT的金属棒两端之间的电势差。在包含温度T1和T2上两种材料A和B之间的两个结点的电路中，产生的电压由下式给出 权利要求1.一种可用平面处理技术制作的元件(Al、A2)，被模块式联结到其他类似元件以便构成塞贝克/珀耳帖热电转换装置的隔板，该元件包括宽度(W)对应于隔板厚度而长度(L)对应于隔板表面面积的维度或维度的分数的叠层，该元件有高塞贝克系数的导体或半导体材料的纳米线(4)的布居，彼此平行和被绝缘跨越叠层的宽度延伸，被组织成行和列，所述叠层包括a)交替的第一介电材料(2)和第二介电材料(3)层,该第一介电材料层可淀积成厚度小于或等于50nm的连续膜，可被具体化合物的溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·纳都西，G·塞洛弗里尼，
申请(专利权)人：德尔塔蒂研究财团，
类型：
国别省市：